[发明专利]一种硅锭和多晶硅片的制备方法、以及由其制备的硅锭和多晶硅片

权利要求书

1.一种硅锭的制备方法，该方法包括以下步骤：

步骤1：将硅料、硼硅合金、磷硅合金和金属镓按照硅：硼：磷：镓的摩尔比为1：(1.18×10^-5至1.22×10^-5)：(7.5×10^-6至7.7×10^-6)：(4.5×10^-7至4.7×10^-7)的比例混合；

步骤2：将混合后的物料放置在具有下隔热笼的多晶炉中，在1450-1550℃下加热10-30小时使物料融化；

步骤3：打开下隔热笼，在1400-1440℃下使混合物料定向凝固；

步骤4：在1365-1375℃下退火2.5-3.5小时；

步骤5：以1-3℃/min的速度冷却降温以得到从底部到顶部电阻率分布一致的硅锭。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

在步骤1中，所述硅料、硼硅合金、磷硅合金和金属镓的比例为以摩尔比计硅：硼：磷：镓＝1：(1.2×10^-5)：(7.6×10^-6)：(4.6×10^-7)。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，

在步骤4中，退火温度为1370℃，和/或

退火时间为3小时。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，

在步骤5中，冷却速率为1.2℃/min。

5.一种根据权利要求1～4中任一项所述的方法制备的硅锭。

6.根据权利要求5所述的硅锭，其电阻率衰减小于0.4欧姆·cm³。

7.根据权利要求5所述的硅锭，其少子寿命平均值大于等于6μs。

8.一种多晶硅片的制备方法，该方法包括：将根据权利要求1～4中任一项所述的方法制备的硅锭经过开方、切片后得到多晶硅片。

9.一种多晶硅片，其通过将根据权利要求5～7中任一项所述的硅锭经过开方、切片后得到。