[发明专利]具有直接存取的多级存储器

权利要求书

1.一种方法，包括：

将第一量的非易失性随机存取存储器（NVRAM）指定为用作用于计算系统的存储器；

将第二量的NVRAM指定为用作用于计算系统的存储装置；

基于被指定用作存储器的所述第一量的NVRAM来生成存储器重映射表；

基于被指定用作存储装置的所述第二量的NVRAM来生成存储装置重映射表；以及

响应于所述第一量的NVRAM的一部分用作存储装置的第一重新指定或所述第二量的NVRAM的一部分用作存储器的第二重新指定来更新所述存储器和存储装置重映射表。

2.根据权利要求1所述的方法，包括：

在第一时间量内通过整个的第一量NVRAM进行循环以从用作存储器重新指定为用作存储装置，该循环包括在多个时间段中的分离时间段处重新指定构成整个第一量NVRAM的多个部分中的每一个，所述多个段的和包括所述第一时间量。

3.根据权利要求1所述的方法，包括：

通过存储器重映射表来为运行在计算机系统上的软件应用提供对NVRAM中至少一个物理位置的访问，所述存储器重映射表被布置成至少将平台物理地址转化成物理NVRAM地址。

4.根据权利要求1所述的方法，包括所述存储装置重映射表被布置成至少将逻辑块地址转化成物理NVRAM地址。

5.根据权利要求1所述的方法，包括：

生成页面状态表，其在分离的页面状态表条目中至少具有与NRAM的分离的NVRAM物理页面相关联的比特，所述分离的页面状态表条目指示对应于给定页面状态表条目的给定NVRAM物理页面被指定用作存储器还是存储装置。

6.根据权利要求1所述的方法，包括：

针对多个NVRAM物理页面中的分离的NVRAM物理页面确定单独的NVRAM物理页面是否是自由的以被写入，当单独的NVRAM物理页面未持有有效数据时，该单独NVRAM物理页面是自由的以被写入；以及

针对分别标识的自由NVRAM物理页面，确定所述分别标识的自由NVRAM物理页面是否是干净的，其中，当给定的自由NVRAM物理页面中所有存储的比特被设置成一时，该给定的自由NVRAM物理页面是干净的。

7.根据权利要求6所述的方法，包括：

清除至少一个分别标识的自由NVRAM物理页面，其中，要清除的所述至少一个分别标识的自由NVRAM物理页面包括被设置成零的至少一个所存储比特。

8.根据权利要求7所述的方法，包括：

监视访问NVRAM的接口以确定所述接口在任何给定时间是否是基本上空闲的；

从请求器接收写入请求；

当所述访问NVRAM的接口是基本上空闲的时提供尚未被清除的至少一个分别标识的自由NVRAM物理页面；以及

当所述访问NVRAM的接口不是基本上空闲的时提供已被清除的至少一个分别标识的自由NVRAM物理页面。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述NVRAM包括以下中的至少一个：相变存储器、相变存储器和开关（PCMS）、电阻式存储器（RRAM）、铁电存储器、自旋转移矩随机存取存储器（STRAM）、自旋隧穿随机存取存储器（SPRAM）、磁阻存储器、磁存储器、磁随机存取存储器（MRAM）或半导体-氧化物-氮化物-氧化物-半导体（SONOS）存储器。

10.根据权利要求1所述的方法，包括：

指定所述第一量的NVRAM用作存储器包括布置所述第一量的NVRAM以起到用于计算系统的系统存储器的至少一部分的作用；以及

指定所述第二量的NVRAM用作存储装置包括布置所述第一量的NVRAM以起到用于计算系统的大容量存储装置的作用。