[发明专利]相变储存元件及其应用

权利要求书

1.一种相变储存元件，包括：

一选择元件；

一选择线，用来选择性地开启或关闭该选择元件；

一写入/读取线；以及

一相变储存区域，包括多个相变区域，具有不同的相变材料，串联于该写入/读取线和该选择元件的一导电端之间，其中所述相变储存区域包括两个相变区域，该两个相变区域包括一镓锑锗化合物(GaSbGe)区域和一锗锑碲硅氧化合物(GeSbTeSiO)区域。

2.如权利要求1所述的相变储存元件，其中还包括一势垒电极，位于该两个相变区域之间，并且将该两个相变区域连接在一起。

3.如权利要求2所述的相变储存元件，其中该相变储存区域包括：

一底部电极；

一第一相变区域，位于该底部电极上；

该势垒电极，位于该第一相变区域的一顶部；

一第二相变区域，位于该势垒电极上；以及

一上部电极，位于该第二相变区域上。

4.如权利要求3所述的相变储存元件，其中该导电端连接至该底部电极，且该写入/读取线连接至该上部电极。

5.如权利要求4所述的相变储存元件，其中该相变储存区域形成于一开孔之中，且该开孔由该底部电极延伸至该上部电极。

6.如权利要求3所述的相变储存元件，其中该第一相变区域是一侧壁相变区域。

7.一种集成电路芯片，包括至少一相变储存元件，其中该至少一相变储存元件包括：

一选择元件；

一选择线，用来选择性地开启或关闭该选择元件；

一写入/读取线；以及

一相变储存区域，包括多个相变区域，具有不同的相变材料，串联于该写入/读取线和该选择元件的一导电端之间；该多个相变区域包括两个相变区域，该两个相变区域包括一镓锑锗化合物区域和一锗锑碲硅氧化合物区域。

8.如权利要求7所述的集成电路芯片，其中该至少一相变储存元件是多个相变储存元件，每一相变储存元件是一相变储存单元；一势垒电极位于该两个相变区域之间，并且将该两个相变区域连接在一起。

9.如权利要求8所述的集成电路芯片，更包括一相变储存阵列，其中该相变储存阵列包括多个该相变储存单元，其中该相变储存区域包括：

一底部电极，连接至该导电端；

一第一相变区域，位于该底部电极上；

该势垒电极，位于该第一相变区域的一顶部；

一第二相变区域，位于该势垒电极上；以及

一上部电极，位于该第二相变区域上，且连接至该写入/读取线。

10.一种集成电路芯片的制作方法，包括：

在一半导体晶圆上形成多个元件，该些元件至少之一为一选择元件，适用于一相变储存元件；该选择元件包括一选择线，用来选择性地开启或关闭该选择元件；

在该选择元件上形成一底部电极，并且连接至该选择元件；

在该底部电极上形成一第一相变区域；

在该第一相变区域的一顶部形成一势垒电极；

在该势垒电极上形成一第二相变区域；以及

形成一上部电极连接至一写入/读取线；

其中，该第一相变区域和该第二相变区域中之一为一镓锑锗化合物区域，另一个为一锗锑碲硅氧化合物区域。

11.如权利要求10所述的集成电路芯片的制作方法，其中该至少一相变储存元件是多个相变储存元件，每一相变储存元件是一相变储存单元，该些相变储存单元构成一阵列。

12.如权利要求11所述的集成电路芯片的制作方法，其中形成该第一相变区域的步骤包括，在该底部电极上形成一侧壁相变区域。