[发明专利]有源原子供应源和具有其的集成电路

权利要求书

1.一种集成电路(IC)，包括：

第一导体，位于所述集成电路的一层中；

第二导体，位于所述集成电路的另一层中；

第一金属塞，连接所述第一导体和所述第二导体；

原子源导体(ASC)，位于所述集成电路的一层中且接合至所述第一导体；以及

第二金属塞，将所述原子源导体连接至所述集成电路的电压源，

其中，所述第一导体和所述原子源导体被配置为偏置连接至不同的电压，以建立从所述第二金属塞到所述第一金属塞的电子路径，使得所述原子源导体充当用于所述第一导体的有源原子源。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述原子源导体接合至所述第一导体的端部，且沿着所述第一导体的纵轴延伸。

3.根据权利要求2所述的集成电路，其中，所述原子源导体和所述第一导体具有相同宽度。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述原子源导体沿着与所述第一导体的纵轴垂直的方向接合至所述第一导体。

5.根据权利要求4所述的集成电路，其中，所述原子源导体在邻近所述第一金属塞处接合至所述第一导体。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述原子源导体的长度在0.02μm至2μm的范围内。

7.根据权利要求1所述的集成电路，还包括：

另一原子源导体，位于所述集成电路的一层中并接合至所述第一导体；以及

第三金属塞，将所述另一原子源导体连接至所述集成电路的电压源，

其中，所述另一原子源导体充当所述第一导体的另一有源原子源。

8.根据权利要求7所述的集成电路，其中，所述原子源导体和所述另一原子源导体在邻近所述第一金属塞处并且在所述第一导体的相对侧处接合至所述第一导体。

9.根据权利要求7所述的集成电路，其中，

所述原子源导体接合至所述第一导体的端部，并且沿着所述第一导体的纵轴延伸；以及

所述另一原子源导体沿着垂直于所述第一导体的纵轴的方向接合至所述第一导体。

10.根据权利要求1所述的集成电路，其中，当所述集成电路运行时，所述不同电压被配置为使得所述电子路径总是从所述第二金属塞到所述第一金属塞。

11.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一金属塞和所述第二金属塞并行设置，并且相互接触。

12.一种集成电路(IC)，包括：

第一导体，位于所述集成电路的一层中；

第一金属塞、第二金属塞和第三金属塞，将所述第一导体连接至所述集成电路的一个或多个其他导体；

第一原子源导体(ASC)，位于所述集成电路的一层中，且在邻近所述第一金属塞处接合至所述第一导体；

第四金属塞，将所述第一原子源导体连接至所述集成电路的电压源；

第二原子源导体，位于所述集成电路的一层中，且在邻近所述第二金属塞处接合至所述第一导体；以及

第五金属塞，将所述第二原子源导体连接至所述集成电路的电压源，

其中，所述第一导体、所述第一原子源导体和所述第二原子源导体被配置为偏置连接至不同的电压，以建立从所述第四金属塞到所述第一金属塞以及从所述第五金属塞到所述第二金属塞的电子路径，使得所述第一原子源导体和所述第二原子源导体充当用于所述第一导体的有源原子源。

13.根据权利要求12所述的集成电路，其中，所述第三金属塞设置在所述第一金属塞和所述第二金属塞之间。

14.根据权利要求12所述的集成电路，其中，所述第一原子源导体和所述第二原子源导体设置在所述第一导体的相对侧上。