[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一鳍场效应晶体管，包括在第一方向上延伸的第一鳍结构以及包括第一栅极结构，所述第一栅极结构包括在所述第一鳍结构上方形成的第一栅极介电层和在所述第一栅极介电层上方形成的第一栅电极层，且所述第一栅极结构在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸；以及

第二鳍场效应晶体管，包括在所述第一方向上延伸的第二鳍结构以及包括第二栅极结构，所述第二栅极结构包括在所述第二鳍结构上方形成的第二栅极介电层和在所述第二栅极介电层上方形成的第二栅电极层，且所述第二栅极结构在所述第二方向上延伸；其中：

所述第一栅极结构和所述第二栅极结构沿着所述第二方向对准，

所述第一栅极结构和所述第二栅极结构通过由绝缘材料制成的分离插塞分离，以及

所述第一栅电极层与所述分离插塞的侧壁接触，其中，所述第一栅电极层包括在所述第一鳍结构上方形成的下面的层和主金属电极层，并且所述主金属电极层与所述分离插塞的所述侧壁接触。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述分离插塞是由基于氮化硅的材料制成的。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第二栅电极层包括在所述第二鳍结构上方形成的下面的层和主金属电极层，以及

所述第二栅电极层的所述主金属电极层与所述分离插塞的侧壁接触。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一栅极介电层的沿所述第二方向的最上部分位于所述第一鳍结构之上。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述下面的层的沿所述第二方向的最上部分位于所述第一鳍结构之上。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第一栅极结构具有第一端和第二端，

在所述第一端处提供所述分离插塞，以及

在所述第二端处提供另一分离插塞。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第一栅极结构具有第一端和第二端，

在所述第一端处提供所述分离插塞，以及

在所述第二端处不提供分离插塞。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中：

在所述第二端处，所述第一栅电极层不与所述分离插塞的侧壁接触。

9.一种半导体器件，包括：

第一鳍场效应晶体管，包括半导体衬底的第一沟道区域以及包括第一栅极结构，所述第一栅极结构包括在所述第一沟道区域上方形成的第一栅极介电层和在所述第一栅极介电层上方形成的第一栅电极层，且所述第一栅极结构在第一方向上延伸；以及

第二鳍场效应晶体管，包括所述半导体衬底的第二沟道区域以及包括第二栅极结构，所述第二栅极结构包括在所述第二沟道区域上方形成的第二栅极介电层和在所述第二栅极介电层上方形成的第二栅电极层，且所述第二栅极结构在所述第一方向上延伸；其中

所述第一栅极结构和所述第二栅极结构沿着所述第一方向对准，

所述第一栅极结构和所述第二栅极结构通过由绝缘材料制成的分离插塞分离，以及

所述第一栅电极层与所述分离插塞的侧壁接触，其中，所述第一栅电极层包括在所述第一沟道区域上方形成的下面的层和主金属电极层，并且所述主金属电极层与所述分离插塞的所述侧壁接触。