[发明专利]声波谐振器及其制造方法

说明书

本申请要求于2016年2月18日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0018983号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。

技术领域

下面的描述涉及一种声波谐振器。下面的描述还涉及一种制造这样的声波谐振器的方法。

背景技术

根据无线通信装置的小型化的趋势，射频组件技术的小型化已变得十分地理想。射频组件技术的小型化示例可包括使用制造半导体薄膜晶圆的技术的呈体声波(BAW)谐振器的形式的滤波器。

体声波(BAW)谐振器是这样一种谐振器：具有薄膜的元件通过在硅晶圆(作为半导体基板)上沉积压电介电材料并利用压电介电材料的压电特性产生谐振而被实现为滤波器。

体声波(BAW)谐振器的应用包括小且轻量化的滤波器、振荡器、谐振元件、声波谐振质量传感器和在移动通信装置、化学和生物装置以及其他适合的技术装置中的其他应用。

同时，已经进行了对用于改进BAW谐振器的特性和性能的各种结构形状和功能的研究。相应地，也已经开展对制造BAW谐振器的方法和各种结构的研究。

发明内容

提供该发明内容以简化形式来介绍选择的构思，以下在具体实施方式中进一步描述该构思。本发明内容无意限定所要求保护的主题的主要特征或必要特征，也无意用于帮助确定所要求保护的主题的范围。

在一个总的方面中，一种声波谐振器包括：谐振部，包括设置在第一电极上的压电层和设置在所述压电层上的第二电极；框架，沿所述谐振部的边缘设置在所述第二电极上，其中，所述框架包括内表面和外表面，并且所述内表面包括两个斜面。

所述两个斜面中的每个可包括不同的倾斜角。

所述框架的内表面可包括从所述第二电极延伸的第一斜面和从所述第一斜面延伸的第二斜面。

所述第一斜面的倾斜角可小于所述第二斜面的倾斜角。

所述框架的外表面可以是竖直表面或倾斜表面。

所述框架还可包括使所述第二斜面与外表面彼此连接的顶表面。

所述框架还可包括具有第一斜面的第一框架和具有第二斜面并设置在所述第一框架上的第二框架。

所述框架可由与所述第二电极的材料相同的材料形成。

所述谐振部形成在膜层上并通过气隙与基板分开。

所述框架可沿所述谐振部的边缘形成为环状。

在另一总的方面，一种制造声波谐振器的方法包括：在基板上堆叠第一电极和压电层；在压电层上堆叠导电层；在导电层上形成包括两个斜面的框架层；通过使框架层和导电层图案化来完成第二电极和框架。

两个斜面中的每个可包括不同的倾斜角。

框架层的形成可包括：在导电层上形成包括第一斜面的第一框架层；在第一框架层上形成包括第二斜面的第二框架层。

框架层的形成可包括通过利用剥离工艺或干蚀刻工艺来形成第一框架层和第二框架层。

第二电极和框架的完成可包括：除去导电层的一部分和框架层的一部分；减小位于谐振部的外部上的导电层的厚度和框架层的厚度。

所述方法还可包括：通过除去压电层的一部分来暴露第一电极；在第一电极和第二电极中的每个上形成连接电极。

在另一总的方面中，一种制造声波谐振器的方法包括：在基板上堆叠第一电极和压电层；在压电层上形成包括第一斜面的第一框架；在第一框架上形成包括第二斜面的第二框架；在压电层、第一框架和第二框架上堆叠导电层；执行导电层的图案化来形成第二电极并进一步形成第一框架和第二框架。

第一斜面和第二斜面中的每个可包括不同的倾斜角。

通过下面的具体实施方式、附图和权利要求，其他特征和方面将是显而易见的。

附图说明

图1是根据示例的声波谐振器的截面图。

图2是图1的示例的A部分的放大截面图。

图3至图9是示出根据示例的制造声波谐振器的方法的示图。

图10是示意性地示出根据另一示例的声波谐振器的截面图。

图11至图14是示出根据另一示例的制造声波谐振器的方法的示图。

图15是示出根据示例的声波谐振器的S参数性能的曲线图。

在所有的附图和具体实施方式中，相同的标号指示相同的元件。附图可不按比例绘制，并且为了清楚、说明及方便起见，附图中元件的相对尺寸、比例和描绘可被放大。

具体实施方式