[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置在审
| 申请号: | 201610911365.9 | 申请日: | 2016-10-19 |
| 公开(公告)号: | CN106653764A | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
| 发明(设计)人: | 刘威;李伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/84 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 汪源,陈源 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 及其 制备 方法 面板 显示装置 | ||
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置。
背景技术
在采用2T1C的氧化物薄膜晶体管的显示基板用于溶液制程的显示面板时,常规的显示基板至少需要一次金属的交叠,对于这样的交叠区域,由于厚度增加必然形成与其它区域的段差,此段差如果位于像素单元内,就会使上方喷墨打印出来的用于发光的液滴有机材料出现不平坦的情况,此时,单个像素单元内的显示就会出现不均匀,而大量的这样的像素单元就会形成显示面板整体上的颜色异常。
现有的显示基板的结构如图1所示,显示基板包括衬底基板1、位于衬底基板1上的薄膜晶体管和栅绝缘层3、位于薄膜晶体管上的钝化层8和位于钝化层8上的平坦化层9。薄膜晶体管的结构包括:栅极2、有源层4、刻蚀阻挡层5、源极6和漏极7,其中,栅极2位于衬底基板1上,栅绝缘层3位于栅极2上,有源层4位于栅绝缘层3上,刻蚀阻挡层5位于有源层4上,刻蚀阻挡层5中设置有第一过孔51和第二过孔52,源极6和漏极7位于刻蚀阻挡层5上,并且,源极6通过第一过孔51与有源层4连接,漏极7通过第二过孔52与有源层4连接。
从图1中可以看出,显示基板包括金属叠加区域A和非叠加区域B,薄膜晶体管位于金属叠加区域A中,由于薄膜晶体管中的多层结构,导致位于金属叠加区域A中的钝化层8的上表面高于位于非叠加区域B中的钝化层8的上表面,因此,即便是在钝化层8上又沉积了平坦化层9,但由于平坦化层9通常采用树脂材料制成,而树脂材料的平坦化程度有限,故也无法使位于金属叠加区域A中的平坦化层9的上表面与位于非叠加区域B中的平坦化层9的上表面等高,金属叠加区域A中的平坦化层9的上表面的高度为1.79μm,非叠加区域B中的平坦化层9的上表面的高度为1.27μm(如图2所示)。但是,由于喷墨打印出的材料对平坦度要求很高,因此,常规的平坦化办法已无法满足溶液制程显示面板的制备。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种能够避免因金属叠加区域与非叠加区域之间存在段差而导致的显示不良的显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示基板,所述显示基板设置有金属叠加区域和非叠加区域;所述显示基板包括衬底基板,所述衬底基板上设置有薄膜晶体管,在所述薄膜晶体管之上设置有钝化层;
其中,位于所述金属叠加区域内的钝化层的第一表面与位于所述非叠加区域内的钝化层的第二表面位于同一平面内。
其中,所述钝化层中设置有第一过孔,所述显示基板还包括:像素电极;其中,
所述像素电极位于所述第一过孔内,以与所述薄膜晶体管连接。
其中,所述显示基板还包括:平坦化层,所述平坦化层位于所述钝化层之上,所述平坦化层中设置有第二过孔;
所述像素电极位于所述第一过孔和第二过孔内,以与所述薄膜晶体管连接。
其中,所述显示基板还包括:像素界定层和画素,所述画素位于所述像素界定层内。
作为另一技术方案,本发明还提供一种显示基板的制备方法,所述显示基板设置有金属叠加区域和非叠加区域;
所述制备方法包括:
在衬底基板上形成薄膜晶体管和栅绝缘层;
在所述薄膜晶体管之上形成钝化层;
其中,位于所述金属叠加区域内的钝化层的第一表面与位于所述非叠加区域内的钝化层的第二表面位于同一平面内。
其中,所述在所述薄膜晶体管之上形成钝化层包括:
在所述薄膜晶体管上沉积钝化材料层;
在所述钝化材料层上沉积光刻胶层;
对光刻胶层进行曝光形成曝光后的光刻胶图形,曝光后的光刻胶图形包括完全曝光光刻胶图形和未曝光光刻胶图形,所述完全曝光光刻胶图形位于所述非叠加区域内,所述未曝光光刻胶图形位于所述非叠加区域内;
对曝光后的光刻胶图形进行显影,去除所述完全曝光光刻胶图形;
对位于所述非叠加区域内的所述钝化材料层进行刻蚀,以形成第一过孔;
去除所述未曝光光刻胶图形。
其中,所述曝光后的光刻胶图形还包括:部分曝光光刻胶图形,所述部分曝光光刻胶图形位于所述金属叠加区域内;
在对曝光后的光刻胶图形进行显影,去除所述完全曝光光刻胶图形的同时,还包括:去除所述部分曝光光刻胶图形中的已曝光区域;
所述对位于所述非叠加区域内的所述钝化材料层进行刻蚀之后还包括:对与所述部分曝光光刻胶图形中的未曝光区域进行灰化处理,以裸露出与所述部分曝光光刻胶图形对应的钝化材料层;
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