[发明专利]一种脊形波导半导体激光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201610911201.6 | 申请日： | 2016-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN106654848A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 方瑞禹;丁凯文 | 申请（专利权）人： | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 266555 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 脊形波导 半导体 激光二极管 及其 制备 方法 | ||
1.一种脊形波导激光二极管，其特征在于，包括：
形成于衬底基片上的脊形波导；
其中，所述脊形波导的所有表面上覆盖有第一金属散热层；所述第一金属散热层的顶面和侧面覆盖有第二金属散热层。
2.如权利要求1所述的脊形波导激光二极管，其特征在于，所述脊形波导的顶面、底面和所有侧面上均覆盖所述第一金属散热层，所述第一金属散热层是通过电镀方式形成的。
3.如权利要求1所述的脊形波导激光二极管，其特征在于，所述第一金属散热层的厚度为300nm-500nm。
4.如权利要求1所述的脊形波导激光二极管，其特征在于，所述脊形波导包括形成于所述衬底基片上的条状脊形，所述条状脊形是通过对所述衬底基片上的接触层进行光刻形成的，所述条状脊形的底面上覆盖有一层金属层。
5.如权利要求1至4中任一项所述的脊形波导激光二极管，其特征在于，所述衬底基片为InP，所述衬底基片为InP，所述脊形波导为InGaAsP。
6.一种脊形波导激光二极管的制备方法，其特征在于，包括：
通过光刻工艺在衬底基片上形成脊形波导；
在所述脊形波导的所有表面上电镀第一金属散热层；
在所述第一金属散热层的顶面和侧面沉积第二金属散热层。
7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述脊形波导的所有表面上电镀第一金属散热层，包括：
对所述脊形波导进行通电，在所述脊形波导的顶面、底面和所有侧面电镀所述第一金属散热层。
8.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一金属散热层的厚度为300nm-500nm。
9.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，
通过刻蚀工艺在衬底上形成脊形波导结构，包括：
在所述衬底基片的上表面沉积接触层；
在所述接触层上涂覆光刻胶，对所述接触层进行光刻，形成条状脊形；
采用物理气相沉积法在所述条状脊形的底面继续沉积一层金属层；
去除所述光刻胶，得到所述脊形波导。
10.如权利要求6至9中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述衬底基片为InP，所述脊形波导为InGaAsP。
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