[发明专利]一种GaN基电子器件垂直芯片

权利要求书

1.一种GaN基电子器件垂直芯片，其特征在于，所述GaN基电子器件垂直芯片中包括：

外延结构，从下到上依次为：导电衬底层、导电缓冲层、n型层、p型层及电子提供层；

分设于外延结构中导电衬底层一侧和电子提供层一侧的源电极和漏电极；及

与n型层连接的栅电极。

2.如权利要求1所述的GaN基电子器件垂直芯片，其特征在于，

所述导电衬底层为AlN衬底或Si衬底或SiC衬底或GaN衬底或ZnO衬底；

和/或，所述导电缓冲层为AlN、GaN、AlGaN、AlInN以及AlInGaN中的一种或者多种组合。

3.如权利要求2所述的GaN基电子器件垂直芯片，其特征在于，所述导电缓冲层为多层结构或单层结构。

4.如权利要求1所述的GaN基电子器件垂直芯片，其特征在于，所述n型层为n型GaN、AlGaN、AlInN以及AlInGaN中的一种或者多种组合；和/或，

所述p型层为p型GaN、AlGaN、AlInN以及AlInGaN中的一种或者多种组合。

5.如权利要求1所述的GaN基电子器件垂直芯片，其特征在于，所述电子提供层为n型GaN、AlGaN、AlInN、AlInGaN以及

AlGaN/GaN异质结中的一种或者多种组合。

6.如权利要求1-5任意一项所述的GaN基电子器件垂直芯片，其特征在于，漏电极设于外延结构中导电衬底层一侧，源电极设于外延结构中电子提供层一侧；或，源电极设于外延结构中导电衬底层一侧，漏电极设于外延结构中电子提供层一侧。

7.如权利要求1-5任意一项所述的GaN基电子器件垂直芯片，其特征在于，所述外延结构中p型层和电子提供层中包括至少一个通孔，所述栅电极通过所述通孔连接到n型层。

8.如权利要求6所述的GaN基电子器件垂直芯片，其特征在于，所述GaN基电子器件垂直芯片中还包括钝化层，设置于栅电极及与之同侧的源电极之间，或设置于栅电极及与之同侧的漏电极之间。