[发明专利]磁极辅助非平衡磁控溅射装置有效
| 申请号: | 201610906281.6 | 申请日: | 2016-10-18 |
| 公开(公告)号: | CN106637109B | 公开(公告)日: | 2017-11-03 |
| 发明(设计)人: | 石永敬 | 申请(专利权)人: | 重庆科技学院 |
| 主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;H01J37/34 |
| 代理公司: | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙)11316 | 代理人: | 滑春生 |
| 地址: | 401331 重*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 磁极 辅助 平衡 磁控溅射 装置 | ||
1.一种磁极辅助非平衡磁控溅射装置,其特征在于,包括真空室、非平衡磁控电极、辅助磁极和衬底承载架,所述衬底承载架设置在所述真空室的下侧,所述非平衡磁控电极均匀分布在以所述真空室上侧中心为圆心的同一圆周上,所述非平衡磁控电极的数量为N,其中N为奇数,所述辅助磁极的数量为(N+1),其中N个辅助磁极均匀分布在所述真空室内壁的等高线上,且每一位于真空室内壁的等高线上的辅助磁极对应设置于一非平衡磁控电极的下侧,第(N+1)个辅助磁极设置于真空室上侧的中心位置处。
2.根据权利要求1所述的磁极辅助非平衡磁控溅射装置,其特征在于,每个辅助磁极与其相邻非平衡磁控电极的磁极相反,且每相邻两个非平衡磁控电极之间的磁极相反。
3.根据权利要求1所述的磁极辅助非平衡磁控溅射装置,其特征在于,所述衬底承载架为偏置电极,所述偏置电极用于承载衬底,并与偏置电源连接,以在所述偏置电极上形成电磁场。
4.根据权利要求3所述的磁极辅助非平衡磁控溅射装置,其特征在于,所述偏置电极还通过旋转轴与旋转装置连接,以使所述旋转装置带动所述偏置电极转动。
5.根据权利要求1所述的磁极辅助非平衡磁控溅射装置,其特征在于,所述装置还包括等离子体发生器,所述等离子体发生器与所述真空室连通,用于对工作气体和反应气体进行等离子体化后输送给所述真空室。
6.根据权利要求1所述的磁极辅助非平衡磁控溅射装置,其特征在于,所述非平衡磁控电极包括阳极和阴极,其中所述阳极与所述阴极对应与电源的正负极连接,所述阴极包括极靶座和固定在所述极靶座正面的靶材,所述阳极包括磁轭、磁极座以及埋设在所述磁轭与所述磁极座构成空间内的一对磁极,该对磁极对称位于所述靶材中心轴的两侧并与该靶材中心轴平行,该对磁极中两磁极的极性相反且磁场强度不同。
7.根据权利要求6所述的磁极辅助非平衡磁控溅射装置,其特征在于,所述极靶座用于固定所述靶材的正面为弧面。
8.根据权利要求6或7所述的磁极辅助非平衡磁控溅射装置,其特征在于,所述极靶座内设置有位于其正面的下方的冷却池。
9.根据权利要求6所述的磁极辅助非平衡磁控溅射装置,其特征在于,所述阴极还包括一对导磁板,该对导磁板对称设置于所述靶材中心轴的两侧,并位于对应磁极的外侧。
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