[发明专利]基于光谱的监测化学机械研磨的装置及方法

权利要求书

1.一种监控抛光制程的计算机执行方法，所述方法包括以下步骤：

存储参考光谱，所述参考光谱表示从来自参考基材的白光的反射得到的光谱；

对于光学传感器跨正经历研磨的基材的多次扫略中的每一次扫略，取得多个所测得的光谱，每一次扫略的所述多个所测得的光谱中的每一个所测得的光谱是从来自所述正经历研磨的基材的白光的反射得到的光谱；

对于所述多次扫略中的每一次扫略，确定在所述扫略中取得的所述多个所测得的光谱中的每一个所测得的光谱与所述参考光谱之间的差异以产生针对每一次扫略的多个差异；

对于所述多次扫略中的每一次扫略，基于所述多个差异的幅度的比较来从针对所述扫略的所述多个差异中选择差异，由此产生一系列所选择的差异；以及

基于所述一系列所选择的差异来判定出研磨终点。

2.一种监控抛光制程的计算机执行方法，所述方法包括以下步骤：

存储多个参考光谱，所述多个参考光谱中的每一个参考光谱都表示从来自参考基材的白光的反射得到的光谱；

对于光学传感器跨正经历研磨的基材的多次扫略中的每一次扫略，取得所测得的光谱，所述所测得的光谱是从来自所述正经历研磨的基材的白光的反射得到的光谱；

对于所述多次扫略中的每一次扫略，确定所述所测得的光谱与所述多个参考光谱中的每一个参考光谱之间的差异以产生针对每一次扫略的多个差异；

对于所述多次扫略中的每一次扫略，基于所述多个差异的幅度的比较来从针对所述扫略的所述多个差异中选择差异，由此产生一系列所选择的差异；以及

基于所述一系列所选择的差异来判定出研磨终点。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中从针对所述扫略的所述多个差异中选择差异的步骤包括：从所述多个差异中选择最小差异；从所述多个差异中选择第二小的差异；或从所述多个差异中选择中位数差异。

4.如权利要求1或2所述的方法，其中确定来自所述多个所测得的光谱中的所测得的光谱与所述参考光谱之间的差异的步骤包括：计算现时光谱与所述参考光谱在一波长范围内的强度差异的绝对值总和；或计算现时光谱与所述参考光谱在一波长范围内的强度的平方差总和。

5.如权利要求1所述的方法，所述方法包括以下步骤：存储多个参考光谱，所述多个参考光谱包括所述参考光谱；以及对于所述多次扫略中的每一次扫略，确定在所述扫略中取得的所述多个所测得的光谱中的每一个所测得的光谱与所述多个参考光谱中的每一个参考光谱之间的差异以产生针对每一次扫略的所述多个差异。

6.一种计算机执行装置，所述装置包括：

用于存储参考光谱的设备，所述参考光谱表示从来自参考基材的白光的反射得到的光谱；

对于光学传感器跨正经历研磨的基材的多次扫略中的每一次扫略，用于取得多个所测得的光谱的设备，每一次扫略的所述多个所测得的光谱中的每一个所测得的光谱是从来自所述正经历研磨的基材的白光的反射得到的光谱；

对于所述多次扫略中的每一次扫略，用于确定在所述扫略中取得的所述多个所测得的光谱中的每一个所测得的光谱与所述参考光谱之间的差异以产生针对每一次扫略的多个差异的设备；

对于所述多次扫略中的每一次扫略，用于基于所述多个差异的幅度的比较来从针对所述扫略的所述多个差异中选择差异而由此产生一系列所选择的差异的设备；以及

用于基于所述一系列所选择的差异来判定出研磨终点的设备。