[发明专利]离子注入方法及离子注入装置

权利要求书

1.一种离子注入方法，其使离子束沿x方向往复扫描，并使晶片沿y方向往复运动而对晶片进行离子注入，所述离子注入方法的特征在于，具备如下步骤：

对以通过取向成具有与由沿入射的离子束的基准轨道的方向和所述y方向这两个方向所规定的基准面平行的沟道面、而不具有与所述基准面正交的沟道面来满足规定的面沟道效应条件的方式配置的第1晶片照射所述离子束，并测量射束照射后的所述第1晶片的电阻；

对以通过取向成在沿入射的离子束的基准轨道的方向具有沟道轴、而不具有与由沿入射的离子束的基准轨道的方向和所述y方向这两个方向所规定的基准面平行或正交的沟道面来满足规定的轴沟道效应条件的方式配置的第2晶片照射所述离子束，并测量射束照射后的所述第2晶片的电阻；及

使用所述第1晶片及所述第2晶片的电阻测量结果，决定两个以上的透镜装置的工作参数，使电场及磁场中的至少一个作用于所述离子束从而使所述离子束收敛或发散，从而调整所述离子束的相对于所述晶片的所述x方向及所述y方向的注入角度分布。

2.根据权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于，

对于所述注入角度分布，分别对所述x方向及所述y方向独立地进行调整。

3.根据权利要求2所述的离子注入方法，其特征在于，

还具备对被处理晶片照射已被调整所述注入角度分布的离子束的步骤，

所述注入角度分布被调整为在所述被处理晶片中形成所需载体浓度分布。

4.根据权利要求3所述的离子注入方法，其特征在于，

所述被处理晶片具有形成于晶片处理面的结构体，

所述注入角度分布被调整为所述结构体附近的载体浓度分布的扩散成为所需分布。

5.根据权利要求4所述的离子注入方法，其特征在于，

所述结构体为栅极结构，

所述注入角度分布被调整为所述栅极结构附近的载体浓度分布的深度方向及栅极长度方向的扩散成为所需分布。

6.根据权利要求1或2所述的离子注入方法，其特征在于，

所述第1晶片是晶片主面为(100)面的结晶性衬底，且配置成所述第1晶片的＜110＞方位与所述y方向之间的扭转角实质上成为0度或45度，所述晶片主面的法线与沿所述基准轨道的方向之间的倾角在15度～60度的范围内。

7.根据权利要求1或2所述的离子注入方法，其特征在于，

所述第2晶片是晶片主面为(100)面的结晶性衬底，并且配置成所述第2晶片的＜110＞方位与所述y方向之间的扭转角在15度～30度的范围内，所述晶片主面的法线与沿所述基准轨道的方向之间的倾角实质上成为0度。

8.根据权利要求1或2所述的离子注入方法，其特征在于，

所述第1晶片及所述第2晶片是晶片主面的偏角为0.1度以下的结晶性衬底。

9.根据权利要求1或2所述的离子注入方法，其特征在于，

还具备在测量所述第1晶片的电阻之前对射束照射后的所述第1晶片实施退火处理的步骤及在测量所述第2晶片的电阻之前对射束照射后的所述第2晶片实施退火处理的步骤中的至少一个。

10.根据权利要求9所述的离子注入方法，其特征在于，

所述退火处理以900℃～1000℃的退火温度来进行。

11.根据权利要求1或2所述的离子注入方法，其特征在于，还具备如下步骤：

对以满足阻塞沟道效应条件的方式配置的第3晶片照射所述离子束，并测量射束照射后的所述第3晶片的电阻；及

使用所述第3晶片的电阻测量结果调整基于所述离子束的离子注入量。