[发明专利]晶片的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法，在该晶片中，在由交叉形成的多条分割预定线划分的正面的各区域内形成有器件，该各器件具有多个在正面上突出的凸点。

背景技术

在半导体器件芯片的制造工艺中，在由硅或化合物半导体构成的晶片正面上呈格子状形成有多条被称为间隔道的分割预定线，在由分割预定线划分的各区域内形成有LSI等器件。在对这些晶片的背面进行磨削而将其薄化至规定的厚度之后，通过切削装置等沿着间隔道进行分割，由此，制造出各个半导体器件芯片。

近年来，作为用于实现半导体器件模块的轻薄短小化的技术，实用化了一种被称为倒装芯片键合的安装技术，在器件正面上形成有多个被称为凸点的金属突起物，使这些凸点与形成在配线基板上的电极直接接合(例如，参照日本特开2001-237278号公报)。

并且，作为将晶片分割成更薄的器件芯片的技术，开发并实用化了被称为所谓的先划片法(Dicing Before Grinding)的分割技术(例如，参照日本特开平11-40520号公报)。

该先划片法是以如下的方式来实施的技术，能够将器件芯片的厚度加工至50μm以下，该方式为：从半导体晶片或光器件晶片的正面沿着分割预定线形成规定的深度(相当于器件芯片的完工厚度的深度以上的深度)的分割槽，之后，对正面上形成有分割槽的晶片的背面进行磨削而使分割槽露出于该背面从而将晶片分割成各个器件芯片。

近年来，在正面上形成有凸点的晶片中还存在安装有被称为高凸点的高度较高的凸点的晶片。在对这样的晶片进行背面磨削时，将具有相当厚度的保护带粘接在晶片正面上而进行背面磨削。然而，由于凸点的高度较高，所以即使利用保护带来吸收凸点的凹凸而使其平坦化，也很难完全地平坦化。

其结果是，当在具有凸点的晶片的正面上粘接保护带而对晶片的背面进行磨削时，存在凸点的凹凸会转印到磨削面、或者磨削后的晶片的厚度偏差变大的问题。并且，在隔着保护带利用卡盘工作台对晶片进行吸引保持时，还存在因保护带无法完全跟随而使负压泄露从而导致晶片的吸引保持变得不完全的问题。

专利文献1：日本特开2001-237278号公报

专利文献2：日本特开平11-40520号公报

专利文献3：日本特开2012-160515号公报

专利文献4：日本特开2012-119594号公报

然而，关于具有吸收凸点的凹凸的厚度的保护带，除了费用较高的问题之外，还产生了如下问题：由于保护带的粘合层比较柔软，所以在磨削中芯片会在保护带上晃动，芯片彼此碰撞而导致芯片的外周缺陷或者晶片破裂。

发明内容

本发明是鉴于这样的点而完成的，其目的在于提供一种晶片的加工方法，在抑制费用的同时，即使凸点的高度较高也不会使凸点的凹凸转印到磨削面上，磨削后的晶片的厚度偏差也被控制得很小，防止了在磨削中芯片彼此碰撞，当将晶片保持在卡盘工作台上时不会产生负压的泄露。

根据本发明，提供晶片的加工方法，该晶片在由交叉形成的多条分割预定线划分的正面的各区域内形成有器件，该各器件具有在正面上突出的多个凸点，该晶片的加工方法沿着该分割预定线对该晶片进行分割而形成规定的厚度的多个器件芯片，该晶片的加工方法的特征在于，具有如下的步骤：槽形成步骤，从晶片的正面沿着该分割预定线形成深度比该规定的厚度深且没有将晶片完全切断的槽；树脂覆盖步骤，利用具有该凸点的高度的1.5倍～5倍的厚度的液状树脂来覆盖形成有该槽的晶片的该正面；树脂硬化步骤，在实施了该树脂覆盖步骤之后，使该液状树脂硬化；以及磨削步骤，在实施了该树脂硬化步骤之后，对晶片的背面进行磨削而将晶片薄化至该规定的厚度并且使该槽露出于该背面，由此沿着该分割预定线对晶片分割而形成规定的厚度的多个器件芯片。

优选晶片的加工方法还具有如下的保护片配设步骤：与该树脂覆盖步骤同时或在实施了该树脂覆盖步骤之后，将保护片配设在该树脂上。

在本发明的加工方法中，由于在实施了树脂覆盖步骤之后，通过紫外线的照射或加热等外界刺激来使液状树脂硬化而将具有凸点的高度的1.5倍～5倍的厚度的树脂粘接在晶片的正面上从而进行晶片的背面磨削，所以能够防止芯片在磨削中晃动，通过硬化后的树脂来消除凸点的凹凸并防止针对磨削面的凸点的转印和晶片的厚度偏差，进而能够防止吸引保持时的负压的泄露。

附图说明

图1是各器件具有多个凸点的半导体晶片的立体图。

图2的(A)是示出槽形成步骤的剖视图，图2的(B)是槽形成步骤结束后的晶片的剖视图。