[发明专利]电子装置及其驱动方法

权利要求书

1.一种电子装置，包括：

一第一扫描线、及一第二扫描线；

一第一数据线；

一感测线；

一第一晶体管，连接至该第一扫描线及该第一数据线；

一像素，具有一像素电极连接至该第一晶体管；

一第二晶体管，连接至该第一扫描线、该像素的一共同电极及该感测线；以及

一充放电装置，耦合至该第二晶体管、该第二扫描线及该感测线；

其中，当该第一扫描线为高电位时，该充放电装置被充电，当该第二扫描线为高电位时，该感测线感测该充放电装置的电流，以判断是否有一外物的触碰或接近。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，该外物的触碰或接近产生一电容效应，该充放电装置与该外物的触碰或接近所生成的等效电容产生一电荷分享效应。

3.根据权利要求2所述的电子装置，其中，当有该外物的触碰或接近时，该感测线感测该充放电装置的电流小于没有该外物的触碰或接近时的该充放电装置的电流。

4.根据权利要求3所述的电子装置，其中，该第一晶体管的栅极连接至该第一扫描线，其漏极连接至该第一数据线，其源极连接至该像素的该像素电极，该第二晶体管的栅极连接至该第一扫描线，其漏极连接至该感测线，其源极连接至该像素的该共同电极，该充放电装置为一电容。

5.根据权利要求4所述的电子装置，其更包含：

一第三晶体管，其栅极及漏极连接至该第一扫描线，其源极连接至该充放电装置的一第一端；

一第四晶体管，其栅极连接至该第二扫描线，其漏极连接至该像素的该共同电极，其源极连接至该充放电装置的该第一端；

一第五晶体管，其栅极连接至该充放电装置的该第一端，其漏极连接至该感测线，其源极连接至该充放电装置的一第二端；以及

一直流阻隔电容，其第一端连接至该充放电装置的该第二端，其一第二端连接至该第二扫描线。

6.根据权利要求5所述的电子装置，其中，当该第一扫描线为高电位时，该第一晶体管、该第二晶体管、及该第三晶体管导通，该第一数据线上的电压对该充放电装置充电，该感测线上的电压通过该第二晶体管而传递至该共同电极。

7.根据权利要求6所述的电子装置，其中，当该第二扫描线为高电位时，该第一晶体管、该第二晶体管、及该第三晶体管关闭，该第四晶体管及该第五晶体管导通，该充放电装置与该外物的触碰或接近所生成的等效电容产生一电荷分享效应，该充放电装置的电流通过该第五晶体管而传输至该感测线。

8.根据权利要求5所述的电子装置，其中，该第一至第五晶体管为低温多晶硅晶体管、氧化铟镓锌晶体管、或非晶硅晶体管。

9.根据权利要求4所述的电子装置，其更包含：

一第三晶体管，其栅极连接至该充放电装置的第一端及共同电极，其漏极连接至该感测线；以及

一第四晶体管，其栅极连接至该第二扫描线，其漏极连接至该第三晶体管的一源极，其源极连接至该第二扫描线；

其中，该充放电装置的一第二端连接至该第二扫描线。

10.根据权利要求9所述的电子装置，其中，当该第一扫描线为高电位时，该第一晶体管及该第二晶体管导通，该感测线上的电压通过该第二晶体管而传递至该共同电极，并对该充放电装置充电。

11.根据权利要求10所述的电子装置，其中，当该第二扫描线为高电位时，该第一晶体管及该第二晶体管关闭，该第三晶体管及该第四晶体管导通，该充放电装置与该外物的触碰或接近所生成的等效电容产生一电荷分享效应，该充放电装置的电流通过该第三晶体管而传输至该感测线。

12.根据权利要求9所述的电子装置，其中，该第一至第四晶体管为低温多晶硅晶体管、氧化铟镓锌晶体管、或非晶硅晶体管。