[发明专利]湿膜处理装置、系统和方法有效
申请号: | 201610891163.2 | 申请日: | 2016-10-13 |
公开(公告)号: | CN106654056B | 公开(公告)日: | 2018-08-24 |
发明(设计)人: | 王兵;杜勇 | 申请(专利权)人: | 纳晶科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/50;H01L51/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310052 浙江省杭州市滨*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 系统 方法 | ||
1.一种湿膜处理装置,其特征在于,包括:
一密封腔体(20),所述密封腔体(20)包括底部(22)和气体接入口(21),所述底部(22)设置有至少一个通孔(221),用于将通入所述气体接入口(21)的气体从所述密封腔体(20)内排出至待处理湿膜表面;
一超声发生器(40),所述超声发生器(40)固定地设置于所述密封腔体(20)内,所述超声发生器(40)发出的超声振动经由所述密封腔体(20)和所述气体传递至所述待处理湿膜。
2.根据权利要求1所述的湿膜处理装置,其特征在于,所述通孔(221)中的至少一个还用于将从所述密封腔体(20)排出的所述气体从所述待处理湿膜所在的空间移除。
3.根据权利要求1所述的湿膜处理装置,其特征在于,所述湿膜处理装置内还设置有一个或多个第一抽气口(222),用于将从所述密封腔体(20)排出的所述气体从所述待处理湿膜所在的空间移除。
4.根据权利要求3所述的湿膜处理装置,其特征在于,所述第一抽气口(222)设置于所述湿膜处理装置的底部(22)。
5.根据权利要求4所述的湿膜处理装置,其特征在于,所述底部(22)为平面结构,所述第一抽气口(222)位于所述底部(22)的第一区域(224),所述通孔(221)位于所述底部(22)的第二区域(225),所述第一区域(224)环绕在所述第二区域(225)的外侧。
6.根据权利要求1所述的湿膜处理装置,其特征在于,所述超声发生器(40)对应设置于所述底部(22)的通孔(221)的上方。
7.根据权利要求1所述的湿膜处理装置,其特征在于,所述通孔(221)包括多个。
8.根据权利要求7所述的湿膜处理装置,其特征在于,所述通孔(221)在所述底部(22)成蜂窝结构排列。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的湿膜处理装置,其特征在于,所述湿膜处理装置还包括:
离子发生器(24),设置于所述密封腔体(20)内或与进气管道(211)连接,用于使流经所述密封腔体(20)的所述气体携带正和/或负电荷,其中,所述进气管道(211)与所述气体接入口(21)连接。
10.根据权利要求1至8中任一项所述的湿膜处理装置,其特征在于,所述湿膜处理装置还包括:
溶剂储液装置(26),设置于所述密封腔体(20)内或与进气管道(211)连接,用于为所述待处理湿膜提供气态溶剂,其中,所述进气管道(211)与所述气体接入口(21)连接。
11.一种湿膜处理系统,其特征在于,包括:
载物平台(60),所述载物平台(60)的上表面用于承载具有待处理湿膜的基板(62);
根据权利要求1至10中任一项所述的湿膜处理装置(100),设置于所述载物平台(60)上的所述待处理湿膜(64)上方位置。
12.根据权利要求11所述的湿膜处理系统,其特征在于,所述湿膜处理系统为在密封环境下工作,所述载物台的第三区域(602)上设置有一个或多个第二抽气口(223),其中,所述载物台表面包括所述第三区域(602)和用于放置所述基板的第四区域(603)。
13.一种湿膜处理方法,其特征在于,包括:
在载物平台的基板上设置墨水,所述基板上形成待处理湿膜;
对所述待处理湿膜进行气体吹扫,并在所述待处理湿膜上方以所述气体为传递介质对所述待处理湿膜进行超声振动处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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