[发明专利]射频开关电路

说明书

本发明提供了一种射频开关电路，包括由M个晶体管连接组成的晶体管链，所述晶体管链包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、......、第M‑1晶体管和第M晶体管，所述第一晶体管的衬底和所述第二晶体的衬底分别通过不同的第一电阻接地；其余M‑2个晶体管的衬底分别通过不同的第一电阻接第一负偏压。本发明提供了另一种射频开关电路，所述第一晶体管的衬底、所述第二晶体的衬底和所述第三晶体管的衬底分别通过不同的第一电阻接地；其余M‑3个晶体管的衬底分别通过不同的第一电阻接第一负偏压。这两种射频开关电路能够降低晶体管源极和漏极之间的最大压差，使晶体管上的电压分布更均匀。

技术领域

本发明涉及半导体电路技术领域，特别涉及一种射频开关电路。

背景技术

射频开关是用于控制射频信号传输路径及信号大小的控制器件之一，在无线通信、电子对抗、雷达系统及电子测量仪器等许多领域有广泛用途。

现有的射频开关电路由M个晶体管连接组成，如图1所示，从左至右分别为第一晶体管1、第二晶体管2、第三晶体管3......第M-1晶体管M-1和第M晶体管M。所述第一晶体管1的漏极作为射频开关电路的输入端，其源极与所述第二晶体管2的漏极相连；所述第二晶体管2的源极与所述第三晶体管3的漏极相连......所述第M-1晶体管M-1的源极与所述第M晶体管M的漏极相连，所述第M晶体管M的源极作为所述射频开关电路的输出端；每个所述晶体管的栅极通过高电阻接偏置电压V_g；每个晶体管的衬底上都连有高电阻，并且所述所有高电阻相连，并且通过高电阻接地(或者统一接偏置电压)；每个晶体管的漏极与源极之间接有高电阻。图1中所有高电阻的阻值均一致且至少为50K欧姆。

随着现代雷达和无线电通信技术等的发展，各种电子设备对其内部应用或系统测试使用的射频开关电路不断提出更高的要求，其中重要的一点就是现有的射频开关电路使电压分布不平衡，严重影响功率处理能力甚至导致晶体管上出现的高电压击穿晶体管，因此有必要改善现有射频开关电路的结构，降低分配在晶体管源极和漏极之间的最大压差，减小晶体管被高电压击穿的风险。

发明内容

本发明的目的在于提供一种射频开关电路，降低分配在晶体管源极和漏极之间的最大压差，以降低现有的射频开关电路中的晶体管被高电压击穿的风险。

为解决上述技术问题，本发明提供一种射频开关电路，包括由M个晶体管连接组成的晶体管链，所述晶体管链包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、......、第M-1晶体管和第M晶体管，用于电子电路中控制射频信号。

其中，所述第一晶体管的衬底和所述第二晶体的衬底分别通过不同的第一电阻接地；所述第三晶体管、所述第四晶体管、......、第M-1晶体管和所述第M晶体管的衬底分别通过不同的第一电阻接第一负偏压。

可选的，在所述射频开关电路中，M为大于等于4的自然数。

可选的，在所述射频开关电路中，所述第一负偏压的数值是所述射频开关电路工作电压的相反数。

可选的，在所述射频开关电路中，所述晶体管链中，所述第一晶体管的源极与所述第二晶体管的漏极相连；所述第二晶体管的源极与所述第三晶体管的漏极相连......所述第M-1晶体管的源极与所述第M晶体管的漏极相连。

可选的，在所述射频开关电路中，所述第一晶体管的漏极为所述射频开关电路输入端。

可选的，在所述射频开关电路中，所述第M晶体管的源极为所述射频开关电路输出端。

可选的，在所述射频开关电路中，所述晶体管链上每个晶体管的漏极和源极通过不同的第二电阻连接，所述第二电阻的阻值至少为50K欧姆。

可选的，在所述射频开关电路中，所述晶体管链中每个晶体管的栅极都通过不同的第三电阻接第二负偏压，所述第三电阻的阻值至少为50K欧姆。