[发明专利]基于苯基取代氟硼二吡咯及二苯胺基茚并芴的双光子荧光染料及其合成方法有效

专利信息
申请号: 201610889151.6 申请日: 2016-10-12
公开(公告)号: CN106632435B 公开(公告)日: 2018-06-29
发明(设计)人: 郝新奇;高翔;菅宁歌;贺新超;曹筱妞;朱新举;赵雪梅;宋毛平 申请(专利权)人: 郑州大学
主分类号: C07F5/02 分类号: C07F5/02;C09K11/06;C09B57/00
代理公司: 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 代理人: 郑园;张志军
地址: 450001 河南*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 吡咯 双光子荧光染料 氟硼 二苯胺 茚并芴 乙炔化合物 苯基取代 基茚 合成 交叉偶联反应 荧光量子产率 烷基 三甲基硅基 双光子吸收 双光子荧光 催化胺化 合成步骤 结构通式 应用提供 苯甲醛 二甲基 甲苯 碘代 碘化 二酮 溴化 催化 还原
【说明书】:

发明公开了一种基于苯基取代氟硼二吡咯及二苯胺基茚并芴的双光子荧光染料,其结构通式为:,R为C1‑C18的烷基;合成步骤:以2,4‑二甲基吡咯和苯甲醛为原料,生成5位苯基取代、2,6‑位碘化的氟硼二吡咯;将茚并芴二酮经过还原、烷基化、溴化、Pd(0)催化胺化及Pd(0)和CuI催化的Sonogashira交叉偶联反应,脱掉三甲基硅基,生成二苯胺‑茚并芴‑乙炔化合物;2,6‑位碘代的氟硼二吡咯与二苯胺‑茚并芴‑乙炔化合物反应得到双光子荧光染料,具有较强的双光子荧光性能,在甲苯中最大双光子吸收截面达到776 GM,荧光量子产率为0.46,为基于氟硼二吡咯的双光子荧光染料的合成及应用提供了新思路。

技术领域

本发明属于荧光染料技术领域,具体涉及一种基于苯基取代氟硼二吡咯及二苯胺基茚并芴的双光子荧光染料及其合成方法。

背景技术

双光子吸收是一种三阶非线性光学效应。具有大的双光子吸收截面的有机材料在三维光存储、双光子荧光成像、双光子光限幅材料以及光动力治疗[4]等领域有着具有广阔的应用前景。在双光子荧光染料研究领域,开发具有较大双光子吸收截面的荧光染料是关键。

氟硼二吡咯是一类性能优良的荧光发色团,其摩尔消光系数大,荧光量子产率高,光稳定性好,对极性和PH耐受性好,且容易进行结构修饰,是一种应用广泛的荧光染料,但其缺点是双光子吸收截面较小(一般不高于10 GM),限制了其在双光子荧光材料领域的应用。目前,人们对该类染料的双光子荧光性能的研究还很少。例如,Wang等在氟硼二吡咯的2,6位引入了炔基给电子团,但对其其双光子吸收截面的提高不明显(29-60 GM)。Yilmaz及Sezen等在氟硼二吡咯的1及7位引入给电子基团,使氟硼二吡咯荧光团的双光子吸收截面有所增加。

在双光子吸收化合物的设计与合成中,利用分子内刚性D-π-A-π-D结构增加荧光基团的双光子吸收截面,进而提高双光子吸收及荧光性能,是一种重要的分子设计理念。此外,共轭桥的平面性和刚性具有非常重要的意义,茚并芴环可以看作是具有严格刚性的联苯结构,具有高平面性、高共轭性、良好的光化学与热稳定性,可作为有效的分子内电荷转移的π共轭桥引入到双光子荧光基团中。再者,芳基胺上的氮原子主要采用sp2杂化方式与三个芳香环成键,所以往往具有较强的给电子能力,而且由于芳基的电子离域作用,使得分子即使在电荷分离形式的激发态也可以具有较好的稳定性,而且,众多文献报道采用二芳基胺为电子给体的荧光集团通常都具有较好的发光性质。

发明内容

本发明的目的是提供一种基于苯基取代氟硼二吡咯及二苯胺基茚并芴的双光子荧光染料及其合成方法,该染料具有相对较高的合成产率、良好的单光子及双光子吸收及荧光性能,使氟硼二吡咯的双光子吸收截面有显著提高,并具有较高的荧光量子产率,本发明的合成方法为基于氟硼二吡咯的双光子荧光染料的合成及应用提供了新的设计思路,并具有潜在的应用价值。

为实现上述目的,本发明采用以下技术方案:

一种基于苯基取代氟硼二吡咯及二苯胺基茚并芴的双光子荧光染料,所述的双光子荧光染料具有以下结构通式:

其中,R为C1-C18的烷基。

所述的基于苯基取代氟硼二吡咯及二苯胺基茚并芴的双光子荧光染料的合成方法,步骤如下:

(1)2,6-碘代氟硼二吡咯荧光团的合成:以2,4-二甲基吡咯和苯甲醛为原料,以三氟乙酸为催化剂,合成中间产物联二吡咯,再通过2,3-二氯-4,5-二氰基苯醌)氧化脱氢,与三氟化硼乙醚配位成环,生成1,3,5,7-四甲基-8-苯基氟硼二吡咯,然后与NIS(N-碘代丁二酰亚胺)反应实现2,6-位的碘化,得2,6-碘代氟硼二吡咯荧光团;

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