[发明专利]纳米片状Bi2Ga4O9的制备方法及应用有效
申请号: | 201610886427.5 | 申请日: | 2016-10-11 |
公开(公告)号: | CN106362728B | 公开(公告)日: | 2018-02-16 |
发明(设计)人: | 刘进;钟倩;王振领;李俐俐;巫洪章;金晓丹 | 申请(专利权)人: | 周口师范学院 |
主分类号: | B01J23/18 | 分类号: | B01J23/18;B01J35/02;C02F1/30;C02F101/30 |
代理公司: | 郑州中原专利事务所有限公司41109 | 代理人: | 霍彦伟 |
地址: | 466000 河南省*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 片状 bi2ga4o9 制备 方法 应用 | ||
1.纳米片状Bi2Ga4O9的制备方法,其特征在于,它包括以下步骤:
(1)按氧化镓和碳酸钠的摩尔比1:1称取氧化镓和碳酸钠,将其研磨混合均匀,850~900℃焙烧12~15h,自然冷却后获得NaGaO2前驱体;
(2)按Bi(NO3)3·6H2O和NaGaO2摩尔比1:(2~2.1)称取Bi(NO3)3·6H2O和NaGaO2,并按Bi(NO3)3·6H2O、超纯水和5mol/L氢氧化钠溶液1mmol:30mL:(0.25~0.32)mL的配比准备超纯水和氢氧化钠溶液,先把Bi(NO3)3·6H2O、NaGaO2和超纯水混合于100mL烧杯中,搅拌5-10min,然后加入5mol/L氢氧化钠溶液,搅拌15-20min得到前驱体悬浊液,将前驱体悬浊液转移至内衬为聚四氟乙烯的不锈钢反应釜中;
(3)将步骤(2)中装有悬浊液的反应釜置于烘箱中水热反应,水热反应温度为180-200℃,水热反应时间为12-36h,反应结束后,自然冷却到室温;
(4)将步骤(3)获得的沉淀洗涤、离心、干燥,获得纳米片状Bi2Ga4O9光催化剂,干燥温度为70-90℃。
2.根据权利要求1所述的纳米片状Bi2Ga4O9的制备方法,其特征在于:它包括以下步骤:
(1)按氧化镓和碳酸钠的摩尔比1:1称取氧化镓和碳酸钠,将其研磨混合均匀,900℃焙烧12h,自然冷却后获得NaGaO2前驱体;
(2)按Bi(NO3)3·6H2O和NaGaO2摩尔比1:2称取Bi(NO3)3·6H2O和NaGaO2,并按Bi(NO3)3·6H2O、超纯水和5mol/L氢氧化钠溶液1mmol:30mL:0.25mL的配比准备超纯水和氢氧化钠溶液,先把Bi(NO3)3·6H2O、NaGaO2和超纯水混合于100mL烧杯中,搅拌5-10min,然后加入5mol/L氢氧化钠溶液,搅拌15-20min得到前驱体悬浊液,将前驱体悬浊液转移至内衬为聚四氟乙烯的不锈钢反应釜中;
(3)将步骤(2)中装有悬浊液的反应釜置于烘箱中水热反应,水热反应温度为180-200℃,水热反应时间为12-36h,反应结束后,自然冷却到室温;
(4)将步骤(3)获得的沉淀洗涤、离心、干燥,获得纳米片状Bi2Ga4O9光催化剂,干燥温度70-90℃。
3.根据权利要求1所述的纳米片状Bi2Ga4O9的制备方法,其特征在于:步骤(4)中的干燥温度为80℃,干燥的时间为8h。
4.根据权利要求1-3任一所述制备方法制备的纳米片状Bi2Ga4O9,其特征在于:所述纳米片状Bi2Ga4O9作为光催化剂。
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