[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

形成衬底，所述衬底上具有鳍部；

在相邻鳍部之间的衬底上形成隔离层，所述隔离层顶部表面低于所述鳍部的顶部表面，且覆盖所述鳍部部分侧壁的表面；

对与隔离层相接触的鳍部侧壁进行氧化处理，使部分厚度的鳍部侧壁被氧化形成牺牲层；进行氧化处理的步骤包括：对所述隔离层注入氧化离子；使所述隔离层内的氧化离子扩散，以氧化部分厚度的鳍部侧壁形成所述牺牲层，所述牺牲层仅位于被隔离层覆盖且远离衬底一侧的鳍部侧壁上，且靠近衬底一侧的鳍部侧壁上未形成所述牺牲层；

在所述鳍部表面形成氧化层；

在所述鳍部上形成伪栅极，所述伪栅极横跨所述鳍部且位于所述鳍部部分顶部和部分侧壁的氧化层上；

去除所述伪栅极，露出所述伪栅极下的氧化层；

去除所述氧化层，露出所述鳍部表面。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，进行氧化处理的步骤中，垂直鳍部侧壁的方向上，所述牺牲层的尺寸在到范围内；垂直衬底表面的方向上，所述牺牲层的尺寸在15nm到40nm范围内。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，对所述隔离层注入氧化离子的步骤包括：采用氧化气体向所述隔离层进行离子注入。

4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，进行离子注入的步骤中，所采用的氧化气体包括氧气或臭氧。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，使所述氧化离子扩散的步骤包括：通过退火处理的方式使所述隔离层内的氧化离子扩散。

6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，通过退火处理的方式使所述氧化离子扩散的步骤中，所述退火处理的退火温度在900℃到1100℃范围内，退火时间在0s到30s范围内。

7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成衬底的步骤中，所述衬底包括用于形成核心器件的核心区；

去除所述氧化层的步骤中，去除所述核心区衬底上鳍部表面的氧化层，露出所述核心区衬底上鳍部的表面。

8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，去除所述核心区鳍部表面氧化层的过程中，减薄相邻核心区鳍部之间的隔离层，并去除部分所述牺牲层。

9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述鳍部表面形成氧化层的步骤包括：通过原位水汽退火的方式形成所述氧化层。

10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：形成隔离层之后，进行氧化处理之前，形成覆盖所述鳍部表面的保护层；

进行氧化处理之后，在所述鳍部表面形成氧化层之前，去除所述保护层露出所述鳍部的表面。

11.如权利要求10所述的形成方法，其特征在于，形成衬底的步骤包括：

提供基底；

在所述基底表面形成图形化的掩膜层；

以所述图形化的掩膜层为掩膜，刻蚀所述基底，形成所述衬底和位于所述衬底上的鳍部；

形成所述保护层的步骤包括：

形成鳍部侧墙，所述鳍部侧墙覆盖所述鳍部侧壁；所述鳍部侧墙与所述鳍部上的掩膜层构成所述保护层；

去除所述保护层的步骤包括：去除所述鳍部侧墙和所述掩膜层。

12.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，形成所述鳍部侧墙的步骤中，所述鳍部侧墙的厚度在到范围内。

13.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，形成所述鳍部侧墙的步骤包括：

形成覆盖所述鳍部表面和所述隔离层表面的侧墙材料层；

去除所述隔离层表面的侧墙材料层，露出所述隔离层。