[发明专利]沉积方法、含添加物的氮化铝膜及包括该膜的压电器件

权利要求书

1.一种通过脉冲DC反应溅射沉积压电器件的含添加物的氮化铝膜的方法，所述含添加物的氮化铝膜含有选自Sc和Y的至少一种添加元素，所述方法包括以下步骤：

利用施加至膜基底的电偏压功率，通过脉冲DC反应溅射，在所述压电器件的膜基底上沉积所述含添加物的氮化铝膜的第一层；以及

未对所述压电器件的膜基底施加电偏压功率，或者利用施加至所述压电器件的膜基底的比在溅射沉积所述第一层期间所施加的电偏压功率低的电偏压功率，通过脉冲DC反应溅射，在所述第一层上沉积所述含添加物的氮化铝膜的第二层，所述第二层与所述第一层具有相同的组成。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述至少一种添加元素以0.5a t％至40a t％范围的量存在。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述至少一种添加元素以2a t％至15a t％范围的量存在。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述至少一种添加元素以3a t％至10a t％范围的量存在。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，使用大于70W的电偏压功率沉积所述第一层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，使用小于250W的电偏压功率沉积所述第一层。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其中，使用小于125W的电偏压功率沉积所述第二层。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其中，施加到所述膜基底的电偏压功率是RF功率。

9.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述反应溅射使用单靶来进行。

10.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第一层的拉伸性小于所述第二层的拉伸性。

11.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第一层具有在20nm至150nm范围内的厚度。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述含添加物的氮化铝膜具有0.3微米或更高的厚度。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述含添加物的氮化铝膜具有0.6微米或更高的厚度。

14.根据权利要求12或13所述的方法，其中，所述含添加物的氮化铝膜具有2.0微米或更低的厚度。

15.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在所述第二层上没有沉积所述含添加物的氮化铝膜的额外层。

16.根据权利要求1或2所述的方法，其中，循环进行所述第一层的沉积步骤和所述第二层的沉积步骤，从而所述含添加物的氮化铝膜包括四层或更多层。

17.一种含添加物的氮化铝膜，所述含添加物的氮化铝膜根据权利要求1所述的方法而制造。

18.一种压电器件，包括根据权利要求1所述的方法而制造的含添加物的氮化铝膜。

19.根据权利要求18所述的压电器件，所述压电器件为BAW器件的形式。