[发明专利]形成再分布焊盘的方法、半导体器件及电子装置

权利要求书

1.一种形成再分布焊盘的方法，其特征在于，包括下述步骤：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成器件层和互连层，所述互连层顶部为顶部互连层，所述顶部互连层包括顶部介电层和位于所述顶部介电层中并与所述顶部介电层齐平的顶部金属层，所述顶部金属层包括通过导电插塞与下方金属层电性连接的第一金属布线和虚设的不与下方金属层电性连接的第二金属布线；

在所述顶部互连层上形成第一钝化层，并在所述第一钝化层中形成露出所述第一金属布线的第一开口和露出所述第二金属布线的第二开口；

在所述第一开口和第二开口中分别形成第一接触焊盘和第二接触焊盘，所述第一接触焊盘与所述第一金属布线电性连接，所述第二接触焊盘与所述第二金属布线电性连接；

在所述第一钝化层上形成再分布线和与所述再分布线连接的再分布焊盘，所述再分布线与所述第一接触焊盘电性连接；

形成覆盖所述第一钝化层、所述第一接触焊盘、第二接触焊盘以及所述再分布线和再分布焊盘的第二钝化层，且在所述第二钝化层中形成露出所述再分布焊盘的开口，

其中，所述第二接触焊盘位于所述再分布焊盘的正下方，并穿过所述第一钝化层与所述再分布焊盘和所述第二金属布线直接接触，

在形成所述再分布线和再分布焊盘时，所述再分布线在宽度和/或长度大于预设条件时，所述再分布线连接至所述再分布焊盘的边缘区域，

所述预设条件包括所述再分布线的长度大于所述再分布焊盘长度的10倍,再分布线不直接与再分布焊盘的中部区域连接；

其中所述再分布线具有拐角的折线形状，通过增加接线的拐角来消弱再分布线金属的内应力而避免再分布焊盘的剥落。

2.根据权利要求1所述的形成再分布焊盘的方法，其特征在于，形成所述第一接触焊盘和第二接触焊盘以及所述再分布线和再分布焊盘的步骤包括：

形成填充所述第一开口和第二开口并覆盖所述第一钝化层表面的再分布金属层；

图形化所述再分布金属层以形成位于所述第一开口中的第一接触焊盘，位于所述第二开口中的第二接触焊盘以及位于所述第一钝化层上并与所述第一接触焊盘、第二接触焊盘电性连接的再分布线和与所述再分布线连接的再分布焊盘。

3.根据权利要求1所述的形成再分布焊盘的方法，其特征在于，所述预设条件包括所述再分布线的宽度大于10um。

4.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有器件层和互连层，所述互连层顶部为顶部互连层，所述顶部互连层包括顶部介电层和位于所述顶部介电层中并与所述顶部介电层齐平的顶部金属层，所述顶部金属层包括通过导电插塞与下方金属层电性连接的第一金属布线和虚设的不与下方金属层电性连接的第二金属布线；

第一钝化层，所述第一钝化层形成在所述顶部互连层上，在所述第一钝化层中形成有露出所述第一金属布线的第一开口和露出所述第二金属布线的第二开口，且在所述第一开口中形成与所述第一金属布线电性连接的第一接触焊盘，在所述第二开口中形成与所述第二金属布线电性连接的第二接触焊盘；

再分布线和再分布焊盘，所述再分布线和再分布焊盘形成在所述第一钝化层表面，所述再分布线与所述第一接触焊盘电性连接；

第二钝化层，所述第二钝化层形成在所述第一钝化层上，并覆盖所述第一接触焊盘、第二接触焊盘以及所述再分布线和再分布焊盘，且在所述第二钝化层中形成有露出所述再分布焊盘的开口，

其中，所述第二接触焊盘位于所述再分布焊盘的正下方，并穿过所述第一钝化层与所述再分布焊盘和所述第二金属布线直接接触，

宽度和/或长度大于预设条件的所述再分布线连接至所述再分布焊盘的边缘区域，

所述预设条件包括所述再分布线的长度大于所述再分布焊盘长度的10倍,再分布线不直接与再分布焊盘的中部区域连接；

其中所述再分布线具有拐角的折线形状，通过增加接线的拐角来消弱再分布线金属的内应力而避免再分布焊盘的剥落。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述预设条件包括所述再分布线的宽度大于10um。

6.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求4-5中的任意一项所述的半导体器件以及与所述半导体器件相连接的及电子组件。