[发明专利]单层石墨烯薄膜基复合结构、制备方法及半导体器件有效
| 申请号： | 201610879181.9 | 申请日： | 2016-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN106449133B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 汪际军 | 申请（专利权）人： | 全普半导体科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01G11/26 | 分类号： | H01G11/26;H01G11/36;H01L33/40;H01L31/0224;B01J21/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单层 石墨 薄膜 复合 结构 制备 方法 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
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