[发明专利]垂直存储器件有效
| 申请号: | 201610878702.9 | 申请日: | 2016-10-08 | 
| 公开(公告)号: | CN106847823B | 公开(公告)日: | 2020-03-27 | 
| 发明(设计)人: | 李承民;赵厚成;南祯硕;李钟旻;崔容准 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 | 
| 主分类号: | H01L27/11582 | 分类号: | H01L27/11582;H01L27/11556;H01L23/544 | 
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 | 
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 垂直 存储 器件 | ||
1.一种垂直存储器件,包括:
基板;
在所述基板上的多个单元块,每个所述单元块包括,
多个沟道,在垂直于所述基板的顶表面的第一方向上延伸,
多条栅线,在所述基板上层叠在彼此之上,所述栅线围绕所述沟道,
所述栅线沿着所述第一方向彼此间隔开;和
多条布线,在所述栅线上方并电连接到所述栅线;
在所述基板上的多条位线,每个所述位线在与所述基板的所述顶表面平行的第二方向上延伸并且连接到所述多个沟道中的至少一个;以及
在所述基板上的识别图案,所述识别图案在所述多条位线和所述多条布线之间,并且所述识别图案用于选择所述多个单元块中的至少一个。
2.如权利要求1所述的垂直存储器件,其中所述识别图案处于所述基板上方的与所述布线中的至少一个的层级相同的层级。
3.如权利要求1所述的垂直存储器件,其中
所述栅线在第三方向上延伸,该第三方向平行于所述基板的所述顶表面并交叉所述第二方向,
所述多个单元块沿着所述第二方向彼此间隔开。
4.如权利要求3所述的垂直存储器件,还包括:
切割图案,在所述基板上且在所述多个单元块中的相邻单元块之间。
5.如权利要求4所述的垂直存储器件,其中
所述基板包括单元区和延伸区,
所述沟道在所述单元区上,
所述栅线的端部在所述延伸区上,并且
所述切割图案在所述单元区和所述延伸区上延伸。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





