[发明专利]非易失性存储器装置及其实时自适应读取电压调整方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器装置，包括：

一非易失性存储电路，用以依据一读取命令的一读取电压参数设定至少一读取电压，依据该读取命令的一地址读取一组对应数据电压，以及依照所述至少一读取电压将该组对应数据电压转换为一对应数据；以及

一控制器，耦接至该非易失性存储电路以提供该读取命令并接收该对应数据，以及依据该对应数据的错误位数量而决定是否执行一实时自适应读取电压调整，其中该实时自适应读取电压调整包括：提供一左读取电压参数以使该非易失性存储电路依照该左读取电压参数将该组对应数据电压转换为一左对应数据，提供一右读取电压参数以使该非易失性存储电路依照该右读取电压参数将该组对应数据电压转换为一右对应数据，以及依照该对应数据与该左对应数据的关系以及该对应数据与该右对应数据的关系而适应性决定该读取电压参数的调整方向与调整量，其中该左读取电压参数所对应的至少一左读取电压小于所述至少一读取电压，以及该右读取电压参数所对应的至少一右读取电压大于所述至少一读取电压，其中

该非易失性存储电路为多层单元闪存，该对应数据包括一下页对应数据R1L，该控制器提供该左读取电压参数的一下页左读取电压参数以使该非易失性存储电路依照该下页左读取电压参数将该组对应数据电压转换为该左对应数据的一下页左对应数据R2L，该控制器提供该右读取电压参数的一下页右读取电压参数以使该非易失性存储电路依照该下页右读取电压参数将该组对应数据电压转换为该右对应数据的一下页右对应数据R3L，该控制器计算R1L XOR R2L而获得一计算结果R12L，该控制器计数该计算结果R12L中逻辑1的位个数N12，该控制器计算R1L XOR R3L而获得一计算结果R13L，该控制器计数该计算结果R13L中逻辑1的位个数N13，该控制器依据该位个数N12与该位个数N13的关系而决定该读取电压参数的一下页读取电压参数的调整方向与调整量。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中当N12-N130时该控制器调高该下页读取电压参数，当N12-N130时该控制器调低该下页读取电压参数，以及该控制器计算AdjL＝kL*|N12-N13|而获得该读取电压参数的该下页读取电压参数的调整量AdjL，其中kL为实数。

3.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中该控制器包括：

一数据缓冲器，耦接至该非易失性存储电路以接收该对应数据；

一错误检查和纠正译码器，耦接至该数据缓冲器以检查该对应数据的错误位数量；

一计算电路，耦接至该数据缓冲器，用以执行该实时自适应读取电压调整以决定该读取电压参数的该调整方向与该调整量；以及

一控制电路，耦接至该非易失性存储电路以提供该读取命令，以及依据该计算电路所提供的该调整方向与该调整量来调整该读取电压参数，以便将该读取电压参数提供给该非易失性存储电路。