[发明专利]制造制程中的误差检测方法有效
| 申请号: | 201610876857.9 | 申请日: | 2016-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN106971953B | 公开(公告)日: | 2020-10-02 |
| 发明(设计)人: | R·古德;E·巴拉什;J·B·斯特顿;D·科斯特 | 申请(专利权)人: | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
| 地址: | 英属开曼群*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 制造 中的 误差 检测 方法 | ||
本发明涉及制造制程中的误差检测方法,提供了一种用于执行自动确定何时关闭诸如半导体晶圆制造工具的一制造工具的方法以及计算机程序产品。该方法包括,例如,生成一包括半导体晶圆的制程参数的一测量矢量、生成每一个晶圆的获取参数的测量值之间的相关性的一相关矩阵、生成包括各对晶圆的该获取参数的测量值之间的相关性的自相关矩阵、生成相关以及自相关矩阵的一组合矩阵、从该测量矢量以及组合矩阵获取一T2值、以及如果该T2值超过一临界值,停止一半导体晶圆制造工具。
相关申请案的交互参照
本申请主张于2015年10月1日提交的美国临时专利申请号为62/235,889的优先权。
技术领域
本申请涉及制造过程中的误差检测,尤指一种用于检测半导体制造误差以及自动确定何时关闭一制造工具的统计制程控制方法。
背景技术
半导体晶片上的集成电路的制造可能涉及制造以及加工的多个阶段,并可能需要数个用于检测制造误差的制程。当在一晶圆或一批晶圆上发现重大的制造误差时,则这些晶圆为有缺陷且不可用的,需要关闭制造工具并进行调整或固定以防止继续制造出具有此重大缺陷的晶圆。然而,许多用于检测制造误差的技术存在着很高的“误报”率,造成制造工具不必要的关闭并浪费了宝贵的制造和检修时间,也大大降低了生产率以及晶圆产量。
发明内容
为克服现有技术存在的各种缺点,本发明的一个态样通过提供一种用于停止半导体制造的方法以提供额外的优点,包括生成一测量矢量,是包括来自一个或多个半导体晶圆中的每一者的一个或多个参数中每一者的一测量值;针对该一个或多个半导体晶圆中的每一者,生成一相关矩阵,其中,该相关矩阵包括该每一个晶圆的获取参数的测量值之间的相关性;针对从一对中的每一个半导体晶圆中已获取一参数的一测量值的该一个或多个半导体晶圆中的该每一对,生成一自相关矩阵,其中,该自相关矩阵包括该对中每一个晶圆的该获取参数的测量值之间的相关性;生成一组合矩阵,其中,生成包括结合相关矩阵以及自相关矩阵至一组合矩阵中;自该测量矢量以及组合矩阵获取一T2值;以及如果该T2值超过一临界值,停止一半导体晶圆制造工具。
在一些实施例中,该置信度值大于95%,大于97.5%,或大于99%。在其他的一些实施例中,该测量矢量,该相关矩阵,该自相关矩阵,该组合矩阵,该T2值,或任意上述两种或两种以上的组合是通过一计算机生成、建构、或获取。在又一些其他实施例中,若获取的T2值超過一临界值,則计算机停止停止一半导体晶圆制造工具。
在另一态样,本发明提供一种停止半导体制造的方法,包括生成一测量矢量,该测量矢量包括来自一个或多个半导体晶圆中的每一者的一个或多个参数中的每一者的一测量值;针对该一个或多个半导体晶圆中的每一者,生成一相关矩阵,其中,该相关矩阵包括该每一个晶圆的所获取参数的测量值之间的相关性;针对从一对中的每一个半导体晶圆中已获取一参数的一测量值的该一个或多个半导体晶圆中的该每一对,生成一自相关矩阵,其中,该自相关矩阵包括该对中每一个晶圆的该获取参数的测量值之间的相关性;生成一组合矩阵,其中,生成包括结合相关矩阵以及自相关矩阵至一组合矩阵中;自该测量矢量以及组合矩阵获取一T2值;其中,该测量矢量,该相关矩阵,该自相关矩阵,该组合矩阵,该T2值,或任意上述两种或两种以上的组合是通过一计算机生成,建构或获取;以及如果该T2值超过包括一自由度值以及一预选的置信度值的一卡方分布值,且该自由度值為该测量矢量中的测量值的数量以及该预选的置信度值大于95%,停止一半导体晶圆制造工具。
在一些实施例中,该预选的置信度值大于95%,大于97.5%,或大于99%。在其他的一些实施例中,如果该T2值超过该临界值,一计算机停止该半导体晶圆制造工具。
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