[发明专利]半导体光波导、半导体光调制器以及半导体光调制系统

权利要求书

1.一种半导体光波导，该半导体光波导具备肋板型的芯线，该芯线具有肋和一对平板，

所述半导体光波导的特征在于，

所述芯线通过包含在肋中的边界面分为由p型半导体形成的p型半导体区域和由n型半导体形成的n型半导体区域，

所述边界面由第一平面、第二平面以及第三平面形成，其中，所述第一平面为第一横向pn结的接合面，所述第一平面的上端到达所述肋的上表面，所述第二平面为纵向pn结的接合面，所述第二平面的左端与所述第一平面的下端连接，所述第三平面为第二横向pn结的接合面，所述第三平面的上端与所述第二平面的右端连接且所述第三平面的下端到达所述肋的下表面。

2.根据权利要求1所述的半导体光波导，其特征在于，

从所述肋的左侧面到所述第一平面的距离是从所述肋的上表面到所述第二平面的距离的1.8倍以下。

3.根据权利要求2所述的半导体光波导，其特征在于，

从所述肋的左侧面到所述第一平面的距离是从所述肋的上表面到所述第二平面的距离的1.1倍以上。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体光波导，其特征在于，

所述第二平面被形成在与所述肋的中心隔开距离的位置，该肋的中心被包含在所述p型半导体区域。

5.根据权利要求4所述的半导体光波导，其特征在于，

所述肋的中心与所述第二平面的距离是由内置电位形成的耗尽层的厚度的50％以上100％以下。

6.根据权利要求4所述的半导体光波导，其特征在于，

所述p型半导体区域的空穴密度相对于所述n型半导体区域的电子密度的比例大于35％且小于100％。

7.根据权利要求6所述的半导体光波导，其特征在于，

所述肋的中心与所述第二平面的距离是由内置电位形成的耗尽层的厚度的50％以上200％以下。

8.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体光波导，其特征在于，

还具备包层，该包层将所述芯线包围，

所述p型半导体区域以及所述n型半导体区域分别由向硅中添加掺杂剂而成的半导体或者向磷化铟中添加掺杂剂而成的半导体形成，所述包层由二氧化硅、向磷化铟中添加掺杂剂而成的半导体、以及空气的任意一个形成。

9.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体光波导，其特征在于，

还具备与所述一对平板中的第一平板连接的第一行波电极、以及与所述一对平板中的第二平板连接的第二行波电极。

10.一种半导体光调制器，其特征在于，

该半导体光调制器是在至少一方的臂部设置光调制部的马赫-曾德尔型的半导体光调制器，作为所述光调制部而具备权利要求1～3中任一项所述的半导体光波导。

11.一种半导体光调制系统，其特征在于，具备：

半导体光调制器，是权利要求10所述的半导体光调制器；以及

电压源，对所述p型半导体区域以及所述n型半导体区域施加反向偏置方向的电压。