[发明专利]一种超低电容低压半导体放电管芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201610875049.0 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106229349B | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 刘宗贺;邹有彪;王泗禹 | 申请（专利权）人： | 富芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/87 | 分类号： | H01L29/87;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 230000 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电容 低压 半导体 放电 芯片 及其 制造 方法 | ||
【说明书】：
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