[发明专利]多层陶瓷电容器及其制造方法

权利要求书

1.一种多层陶瓷电容器，包括：

主体部，具有沿着厚度方向堆叠在主体部中的多个内电极并包括设置在相邻内电极之间的介电材料；

外电极，形成在主体部的外表面上并电连接到多个内电极；

其中，所述主体部包括：

电容形成区，在所述电容形成区中通过所述多个内电极形成电容；

盖区域，沿厚度方向设置在电容形成区的上方或下方；

侧边缘区，在与厚度方向正交的宽度方向上设置在电容形成区的旁边，并且没有所述多个内电极，

其中，侧边缘区包括添加剂，添加剂浓度沿厚度方向在第一浓度和比第一浓度低的第二浓度之间变化，第一浓度是侧边缘区的在宽度方向上与主体部的介电材料相邻的区域中的添加剂浓度，第二浓度是侧边缘区的在宽度方向上与所述多个内电极中的内电极相邻的区域中的添加剂浓度。

2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，侧边缘区的添加剂也包括在所述多个内电极中。

3.根据权利要求2所述的多层陶瓷电容器，其中，所述添加剂的烧结温度比形成内电极的材料的烧结温度高。

4.根据权利要求2所述的多层陶瓷电容器，其中，所述添加剂包括MgO。

5.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述盖区域包括侧边缘区的添加剂。

6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，在电容形成区的相邻的内电极对之间包括介电层，其中，每个介电层的添加剂浓度沿厚度方向在第三浓度和比第三浓度低的第四浓度之间变化，第三浓度是在各对相邻的内电极之间的介电层的中央部分的添加剂的浓度，第四浓度是介电层的与各内电极相邻的部分的添加剂的浓度。

7.根据权利要求6所述的多层陶瓷电容器，其中，第一浓度和第二浓度之间的差大于第三浓度和第四浓度之间的差。

8.根据权利要求6所述的多层陶瓷电容器，其中，第二浓度低于第四浓度。

9.一种制造多层陶瓷电容器的方法，包括：

制备多个生片，每个生片具有设置在其上的内电极图案；

堆叠所述多个生片以形成层压件；

烧结所述层压件以形成主体部，

其中，每个内电极图案和每个生片包括相同材料的陶瓷添加剂，

所述多个生片中的每个生片的制备包括在第一片上顺序地堆叠第二片和第三片，

其中，第二片中的陶瓷添加剂的浓度比第一片和第三片中的陶瓷添加剂的浓度高。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述多个生片的制备还包括在每个对应生片的第三片上形成内电极图案。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述陶瓷添加剂的烧结温度比包括在内电极图案中的金属成分的烧结温度高。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，陶瓷添加剂包括MgO。

13.根据权利要求9所述的方法，所述方法还包括：

通过在所述层压件的上部和下部上设置未形成有内电极的生片来形成盖区域。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，形成盖区域的生片包括陶瓷添加剂。