[发明专利]半导体制作工艺在审
| 申请号： | 201610871615.0 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106653607A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 韩广涛;陆阳;任远程;周逊伟 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子（张家港）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 杭州知通专利代理事务所(普通合伙)33221 | 代理人： | 应圣义 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 制作 工艺 | ||
1.一种半导体制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：
在注入n阱和p阱之前，在漂移区生长第一衬垫氧化层；
在注入n阱和p阱的同时，将n阱和p阱打开区域的所述第一衬垫氧化层去掉；
在去掉所述第一衬垫氧化层的区域生长第二衬垫氧化层，所述第二衬垫氧化层的厚度小于所述第一衬垫氧化层的厚度；
在所述第一衬垫氧化层和所述第二衬垫氧化层上淀积氮化物薄膜，生长场氧，形成长度不同的鸟嘴。
2.根据权利要求1所述的半导体制作工艺，其特征在于，所述在漂移区生长第一衬垫氧化层之后，还包括以下步骤：
利用n阱光刻板和p阱光刻板分别打开n阱和p阱区域，进行阱注入。
3.根据权利要求1所述的半导体制作工艺，其特征在于，所述在第一衬垫氧化层和第二衬垫氧化层上淀积氮化物薄膜，生长场氧，形成长度不同的鸟嘴，包括以下步骤：
在所述第一衬垫氧化层和所述第二衬垫氧化层上淀积氮化物薄膜；
利用有源区光刻板，将场区淀积的氮化物薄膜去掉，生长场氧，在所述第一衬垫氧化层所在区域和所述第二衬垫氧化层所在区域分别形成长度不同的鸟嘴。
4.根据权利要求1至3任一项所述的半导体制作工艺，其特征在于，所述在第一衬垫氧化层和第二衬垫氧化层上淀积氮化物薄膜，生长场氧，形成长度不同的鸟嘴之后，还包括以下步骤：
去除所述第一衬垫氧化层、第二衬垫氧化层以及氮化物薄膜，生长栅氧；
在生长的栅氧上淀积多晶硅，并刻蚀形成栅极，然后进行源极和漏极注入。
5.根据权利要求1至3任一项所述的半导体制作工艺，其特征在于，采用湿氧法生长所述第一衬垫氧化层和第二衬垫氧化层。
6.根据权利要求1至3任一项所述的半导体制作工艺，其特征在于，采用干氧法生长所述第一衬垫氧化层和第二衬垫氧化层。
7.根据权利要求1至3任一项所述的半导体制作工艺，其特征在于，采用化学气相淀积法在所述第一衬垫氧化层和所述第二衬垫氧化层上淀积氮化物薄膜。
8.根据权利要求1至3任一项所述的半导体制作工艺，其特征在于，所述第一衬垫氧化层的厚度范围为200A~1000A。
9.根据权利要求1至3任一项所述的半导体制作工艺，其特征在于，所述第二衬垫氧化层的厚度范围为50A~500A。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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