[发明专利]焊垫结构及其制造方法、及图像传感器

权利要求书

1.一种焊垫结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底结构，所述基底结构包括：基底、位于所述基底上的第一金属层和位于所述第一金属层上的钝化层；其中，所述钝化层具有延伸到所述第一金属层的开口；

在所述开口中填充第二金属层作为焊垫。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述开口中填充第二金属层包括：

在所述基底结构上沉积第二金属层；

以所述钝化层的表面为蚀刻停止层刻蚀所述第二金属层，从而保留在所述开口中沉积的第二金属层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述开口中填充第二金属层包括：

在所述基底结构上沉积第二金属层；

对所述第二金属层进行平坦化，从而保留在所述开口中沉积的第二金属层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供基底结构的步骤包括：

提供基底；

在所述基底上沉积第一金属层；

在所述第一金属层上沉积钝化层；

刻蚀去除所述钝化层的一部分以形成所述开口，从而露出期望区域的第一金属层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底包括：

第三金属层，位于所述第一金属层下方；

其中，所述第一金属层和所述第三金属层之间具有电介质层，并且该电介质层中具有金属插塞。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，

所述第一金属层和所述第三金属层分别包括间隔开的多段。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，

所述第一金属层包括的段数小于所述第三金属层包括的段数，并且一段第一金属层通过金属插塞与一段或多段第三金属层连接。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述基底还包括：

第四金属层，位于所述第三金属层下方；

其中，所述第三金属层和所述第四金属层之间具有电介质层，并且该电介质层中具有金属插塞。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，

所述第四金属层包括间隔开的多段。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，

所述第三金属层包括的段数小于所述第四金属层包括的段数，并且一段第三金属层通过金属插塞与一段或多段第四金属层连接。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一金属层和所述第二金属层包括铝；

所述钝化层包括位于所述第一金属层上的硅的氧化物层和位于所述硅的氧化层上的硅的氮化物层。

12.一种焊垫结构，其特征在于，包括：

基底；

第一金属层，位于所述基底上；

钝化层，位于所述第一金属层上，所述钝化层具有延伸到所述第一金属层的开口；和

在所述开口中填充的第二金属层；

其中，所述第二金属层作为焊垫。

13.根据权利要求12所述的焊垫结构，其特征在于，所述第二金属层和所述钝化层的表面基本齐平。

14.根据权利要求12所述的焊垫结构，其特征在于，所述基底包括：

第三金属层，位于所述第一金属层下方；

其中，所述第一金属层和所述第三金属层之间具有电介质层，并且该电介质层中具有金属插塞。

15.根据权利要求14所述的焊垫结构，其特征在于，

所述第一金属层和所述第三金属层分别包括间隔开的多段。

16.根据权利要求15所述的焊垫结构，其特征在于，

所述第一金属层包括的段数小于所述第三金属层包括的段数，并且一段第一金属层通过金属插塞与一段或多段第三金属层连接。

17.根据权利要求15所述的焊垫结构，其特征在于，所述基底还包括：

第四金属层，位于所述第三金属层下方；

其中，所述第三金属层和所述第四金属层之间具有电介质层，并且该电介质层中具有金属插塞。

18.根据权利要求17所述的焊垫结构，其特征在于，

所述第四金属层包括间隔开的多段。