[发明专利]阻变存储装置和用于阻变存储装置的电压发生电路

说明书

一种阻变存储装置可以包括存储区，所述存储区包括多个布置成多个存储器单元对的阻变存储器单元。阻变存储装置可以包括电压发生电路，所述电压发生电路被配置成基于至少一个存储器单元对的切换状态来产生读取电压码。阻变存储装置可以包括电压提供单元，所述电压提供单元被配置成产生与读取电压码相对应的读取电压。

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年2月18日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2016-0019050的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

各种实施例总体而言可以涉及半导体集成电路器件，并且更具体地，涉及阻变存储装置和用于阻变存储装置的电压发生电路。

背景技术

阻变存储装置是已经吸引关注的下一代存储装置，其中，融合了存储装置的优点，例如，低成本、随机访问、高速操作、低功耗、非易失性特性等。

阻变存储装置可以为数据储存材料层布置在一对电极之间的存储装置。根据施加的电流或者电压，通过数据储存材料层的电阻状态的变化，数据就存储在阻变存储装置中。

作为阻变存储装置的一种的相变随机存取存储器(PRAM)可以包括存取元件和由相变材料配置的数据储存材料层作为基本配置。当预设电压施加在字线与位线之间，以将数据写入(编程至)PRAM中时，写入电流可以施加至数据储存材料层，并且数据储存材料层的电阻状态可以改变成晶态(低电阻状态)或者非晶态(高电阻状态)。

在组成阻变存储装置的数据储存材料中，数据储存材料的电阻状态根据附近环境来改变的干扰可以表示出来，所述附近环境例如温度，在写入操作中产生的热、以及在写入之后经过的时间。

因此，需要用于准确地读取存储在阻变存储装置中的数据的方法。

发明内容

根据一个实施例，可以提供一种阻变存储装置。阻变存储装置可以包括存储区，所述存储区包括多个布置成多个存储器单元对的阻变存储器单元。阻变存储装置可以包括电压发生电路，所述电压发生电路配置成基于至少一个存储器单元对的切换状态来产生读取电压码。阻变存储装置可以包括电压提供单元，所述电压提供单元被配置成产生与读取电压码相对应的读取电压。

根据一个实施例，提供了一种电压发生电路。电压发生电路可以包括电压确定单元，所述电压确定单元被配置成基于共享第一信号线的至少一对存储器单元的切换状态来产生读取电压码。电压发生电路单元可以包括路径设置单元，所述路径设置单元被配置成将与读取电压码相对应的读取电压施加至至少一对存储器单元的第二信号线。

附图说明

图1为图示包括根据一个实施例的阻变存储装置的示例表示的配置图。

图2为图示包括根据一个实施例的存储区的示例表示的配置图。

图3为图示包括根据一个实施例的阻变存储器单元的示例表示的配置图。

图4为图示包括根据一个实施例的电压发生电路的阻变存储装置的示例表示的配置图。

图5为图示包括根据一个实施例的电压确定单元的示例表示的配置图。

图6为图示包括根据一个实施例的电压发生电路的阻变存储装置的示例表示的配置图。

图7为图示包括根据一个实施例的电压确定单元的示例表示的配置图。

图8至图12为图示根据本发明技术精神的各种实施例的电子装置的示例表示的配置图。

具体实施方式