[发明专利]有机发光二极管显示器有效

专利信息
申请号: 201610867418.1 申请日: 2016-09-29
公开(公告)号: CN106847170B 公开(公告)日: 2019-06-18
发明(设计)人: 金洛禹;沈载昊;余东炫 申请(专利权)人: 乐金显示有限公司
主分类号: G09G3/3208 分类号: G09G3/3208
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国;赵静
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 有机 发光二极管 显示器
【权利要求书】:

1.一种有机发光二极管显示器(10),包含像素,其中每个像素具有驱动薄膜晶体管(DT),所述驱动薄膜晶体管(DT)用于基于施加至所述驱动薄膜晶体管(DT)的栅极电极(DG)的电压调整流过有机发光二极管(OLED)的电流,所述有机发光二极管显示器(10)进一步包含:

与所述驱动薄膜晶体管(DT)的所述栅极电极(DG)相邻的信号线(DL1);和

位于所述驱动薄膜晶体管(DT)的所述栅极电极(DG)上方的第一屏蔽电极(TM),在所述第一屏蔽电极(TM)与所述驱动薄膜晶体管(DT)的所述栅极电极(DG)之间有第一绝缘层(IN2),

其中所述第一屏蔽电极(TM)比所述驱动薄膜晶体管(DT)的所述栅极电极(DG)向着所述信号线(DL1)更进一步突出,并且

其中所述第一屏蔽电极(TM)位于与所述信号线(DL1)不同的层上,且在所述第一屏蔽电极(TM)与所述信号线(DL1)之间有第二绝缘层(IN3),所述信号线(DL1)位于所述第二绝缘层(IN3)上。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中所述信号线(DL1)与所述第一屏蔽电极(TM)之间的距离比所述信号线(DL1)与所述驱动薄膜晶体管(DT)的所述栅极电极(DG)之间的距离短。

3.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管显示器,其中所述第一屏蔽电极(TM)构造成连接至第一恒定电压源(EVDD)。

4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中所述第一屏蔽电极(TM)构造成第一电容器(C1)。

5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器,其中:

在所述信号线(DL1)与所述驱动薄膜晶体管(DT)的所述栅极电极(DG)之间形成有寄生电容器;

所述第一电容器(C1)是通过所述第一屏蔽电极(TM)和所述驱动薄膜晶体管(DT)的所述栅极电极(DG)的重叠而形成的;并且

所述第一电容器(C1)具有比所述寄生电容器高的电容。

6.根据权利要求4或5所述的有机发光二极管显示器,其中所述第一电容器(C1)构造成抑制像素电压放电。

7.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器,其中所述有机发光二极管显示器(10)进一步包含:

位于所述驱动薄膜晶体管(DT)的所述栅极电极(DG)下方的第二屏蔽电极(BM),在所述第二屏蔽电极(BM)与所述驱动薄膜晶体管(DT)的所述栅极电极(DG)之间有第三绝缘层(IN1),

其中所述第二屏蔽电极(BM)比所述驱动薄膜晶体管(DT)的所述栅极电极(DG)向着所述信号线(DL1)更进一步突出。

8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器,其中所述信号线(DL1)与所述第二屏蔽电极(BM)之间的距离比所述信号线(DL1)与所述驱动薄膜晶体管(DT)的所述栅极电极(DG)之间的距离短。

9.根据权利要求7或8所述的有机发光二极管显示器,其中所述第二屏蔽电极(BM)构造成连接至第二恒定电压源(EVDD)。

10.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器,其中所述第二屏蔽电极(BM)构造成第二电容器(C2)。

11.根据权利要求10所述的有机发光二极管显示器,其中:

在所述信号线(DL1)与所述驱动薄膜晶体管(DT)的所述栅极电极(DG)之间形成有寄生电容器;

所述第二电容器(C2)是通过所述第二屏蔽电极(BM)和所述驱动薄膜晶体管(DT)的所述栅极电极(DG)的重叠而形成的;并且

所述第二电容器(C2)具有比所述寄生电容器高的电容。

12.根据权利要求10或11所述的有机发光二极管显示器,其中所述第二电容器(C2)构造成抑制像素电压放电。

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