[发明专利]电子装置

说明书

一种电子装置。半导体存储器包括：多个字线；以及多个列，包括与所述多个字线相对应的多个阻变储存单元，所述多个列被分成多个页，每个页具有一个或多个列；存储电路，耦接到半导体存储器，以感测储存在阻变储存单元的数据；以及存储控制电路，耦接到半导体存储器和存储电路以控制存储电路对储存的数据的感测，方式为，在读取操作中，通过在所述多个页之中的选中的页被激活的时段中连续地激活‑预充电所述多个字线之中的一个或多个字线，来感测选中的页中所包括的阻变储存单元的数据。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年2月15日提交给韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2016-0017012的优先权，其全部内容通过引用整体合并于此。

技术领域

本公开涉及存储电路或器件及其在电子装置或系统中的应用。

背景技术

近来，随着电子装置朝着微型化、低功耗、高性能、多功能等方向发展，本领域需要能在诸如计算机、便携式通信装置等各种电子装置中储存信息的半导体器件，且已经对这样的半导体器件开展了研发。这种半导体器件包括能利用根据施加的电压或电流在不同的电阻状态之间切换的特性来储存数据的半导体器件，例如，RRAM(阻变随机存取存储器)、PRAM(相变随机存取存储器)、FRAM(铁电随机存取存储器)、MRAM(磁随机存取存储器)、电子熔丝等。

发明内容

在本公开中公开的技术包括一种电子装置，该电子装置通过扩展页的范围来保证高速页操作的效率。

所公开的技术包括一种电子装置，该电子装置通过减少读出放大器的预充电操作以及通过减少伴随着读出放大器的预充电操作的噪声，可以进行高速操作。

在一个实施例中，一种电子装置可以包括：半导体存储器，所述半导体存储器可以包括多个字线以及多个列，所述多个列包括与所述多个字线相对应的多个阻变储存单元，所述多个列被分成多个页，每个页具有一个或多个列；存储电路，所述存储电路耦接到所述半导体存储器，以感测储存在所述多个阻变储存单元中的数据；以及存储控制电路，所述存储控制电路耦接到所述半导体存储器和所述存储电路，以控制所述存储电路对储存的数据的感测，方式为，在读取操作中，通过在所述多个页之中的选中的页被激活的时段中连续地激活-预充电所述多个字线之中的一个或多个字线，来感测在被选中的页中所包括的阻变储存单元的数据。

所述电子装置还可以包括多个读出放大器，所述多个读出放大器对应于所述多个页之中的一个页，且感测所述多个列之中的相对应的一个或多个列中所包括的阻变储存单元的数据。

所述被选中的页被激活的时段是所述多个读出放大器之中的与被选中的页相对应的一个或多个读出放大器被激活的时段。

在所述被激活时段，所述读出放大器可以感测与所述相对应的一个或多个列之中的被选中的列和在所述多个字线之中的被激活的字线相对应的阻变储存单元的数据。

当两个或两个以上个读取操作持续地执行且在所述两个或两个以上个读取操作中可以选中相同的页时，从所述两个或两个以上个读取操作中的第一个读取操作开始直到所述两个或两个以上个读取操作中的最后一个读取操作结束，被选中的页可以保持为激活状态。

当之前的读取操作中的选中的页与当前的读取操作中的选中的页可以不同时，之前的读取操作中的选中的页可以被去激活，且当前的读取操作中的选中的页可以被激活。

所述多个读出放大器可以通过将流入阻变储存单元的电流与参考电流进行比较，来感测所述阻变储存单元的数据。

所述阻变储存单元可以包括：选择元件，所述选择元件耦接到相对应的字线；以及可变电阻元件，所述可变电阻元件的电阻值根据储存在所述多个阻变储存单元中的数据来确定。

所述可变电阻元件可以包含任何一种金属氧化物材料且可以包括具有在两个磁性层之间插入隧道势垒的结构。