[发明专利]有机发光二极管显示器及其制作方法有效
申请号: | 201610861810.5 | 申请日: | 2016-09-29 |
公开(公告)号: | CN107887403B | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 韩媛媛;朱修剑 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 蔡光仟 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 及其 制作方法 | ||
一种有机发光二极管显示器及其制作方法,其中有机发光二极管显示器包括相对接合在一起的阵列元件基板和有机发光二极管基板。阵列元件基板包括第一基底、位于第一基底上的薄膜晶体管阵列元件及位于薄膜晶体管阵列元件上的第一接合电极和第二接合电极。有机发光二极管基板包括第二基底、位于第二基底的第一表面上的第三接合电极及位于第二基底相对的第二表面上的有机发光二极管。阵列元件基板和有机发光二极管基板相对接合在一起,从而将LTPS制备流程与OLED制备流程分开进行,且制备的柔性OLED基底可裁剪成任意性状,实现了某一PPI下多种产品的一次性生产,无需开多套蒸镀mask,节省了成本,提高生产效率和良率。
技术领域
本发明涉及平板显示的技术领域,特别是涉及一种有机发光二极管显示器及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)是主动发光器件,具有高对比度、广视角、低功耗、响应速度快、体积更薄等优点,有望成为下一代主流平板显示技术。
低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)已经普遍地应用在平面显示器例如有源矩阵有机发光二极管显示器(AMOLED)的阵列基板上。AMOLED显示器的制作流程主要分为两大部分:低温多晶硅(LTPS)制作与有机发光二极管(OLED)制作。具体是,一般先在基板上沉积非晶硅层(a-Si),然后通过热处理使非晶硅熔融结晶以形成较平滑且具有晶粒的多晶硅层(p-Si),并利用多晶硅层作为薄膜晶体管(TFT)的沟道层制作形成低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT);接下来在低温多晶硅薄膜晶体管上继续制作有机发光二极管(OLED)的阳极、有机发光层和阴极,从而形成阵列基板。最后通过将形成有低温多晶硅薄膜晶体管(LTPSTFT)阵列元件和有机发光二极管(OLED)的阵列基板粘接到用于封装的单独基板上,从而制造出底部或顶部发光的有源矩阵有机发光二极管显示器(AMOLED)。
在这种情况下,由于有源矩阵有机发光二极管显示器(AMOLED)的良率由低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)阵列元件和有机发光二极管(OLED)基板共同决定。因此,即使已经制作了优良的低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)阵列元件,但是如果在后续制作有机发光二极管(OLED)基板时因外界颗粒或其他因素产生缺陷,则该有机发光二极管显示器被定为缺陷级,也就损失了花费在非缺陷薄膜晶体管阵列元件上的费用和材料成本。因此,现有的制作方法中,制作流程长,容易造成不良的积累,影响生产效率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种有机发光二极管显示器及其制作方法,以解决现有制作方法中,制作流程长,易导致不良累积,生产效率低的问题。
本发明提供一种有机发光二极管显示器,包括相对接合在一起的阵列元件基板和有机发光二极管基板,其中:
该阵列元件基板包括第一基底、位于该第一基底上的薄膜晶体管阵列元件、以及位于该薄膜晶体管阵列元件上的第一接合电极和第二接合电极,该第一接合电极和该第二接合电极相互绝缘,该第一接合电极与该薄膜晶体管阵列元件中的驱动薄膜晶体管电性连接;
该有机发光二极管基板包括第二基底、位于该第二基底的第一表面上的第三接合电极、以及位于该第二基底相对的第二表面上的有机发光二极管,该有机发光二极管包括第一电极、第二电极和位于该第一电极与该第二电极之间的有机发光层,该有机发光二极管的第一电极与该第三接合电极电性连接;
该阵列元件基板和该有机发光二极管基板相对接合在一起,该第一接合电极与该第三接合电极接触连接,该第二接合电极与该有机发光二极管的第二电极电性连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山国显光电有限公司,未经昆山国显光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610861810.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的