[发明专利]一种核电站用隔膜式仪表校验装置在审
申请号: | 201610851251.X | 申请日: | 2016-09-26 |
公开(公告)号: | CN107870062A | 公开(公告)日: | 2018-04-03 |
发明(设计)人: | 徐爱民;樊志鹏;孙艳军 | 申请(专利权)人: | 中电华元核电工程技术有限公司 |
主分类号: | G01L27/00 | 分类号: | G01L27/00 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司31225 | 代理人: | 应小波 |
地址: | 200050 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 核电站 隔膜 仪表 校验 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种仪表校验装置,尤其是涉及一种核电站用隔膜式仪表校验装置。
背景技术
目前核电站工艺系统中都装有很多隔膜式仪表,包括隔膜式压力表,其采用间接测量结构,隔膜在被测介质压力作用下产生变形,密封液被压,形成一个相当于P的压力,传导至压力仪表,显示被测介质压力值。适用于测量粘度大、易结晶、腐蚀性大、温度较高的液体、气体或颗粒状固体介质的压力,此种仪表需要定期校验,目前采取的校验方式是送到专业的校验机构检定,费用高,时间长,影响电站系统的安全稳定运行。
发明内容
本发明的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种核电站用隔膜式仪表校验装置,快速、高效对隔膜式仪表的进行校验。
本发明的目的可以通过以下技术方案来实现:
一种核电站用隔膜式仪表校验装置,该装置用于连接隔膜式仪表和加压仪器,所述的校验装置为凸形结构,其中心设有传压孔,所述的校验装置包括一体成型的连接接头和法兰底座,所述的连接接头与加压仪器,所述的法兰底座与隔膜式仪表连接,所述的隔膜式仪表通过传压孔与加压仪器连通。
所述的连接接头包括依次设置的外螺纹段、外六方段和圆柱段,所述的外螺纹段与加压仪器的接头连接,所述的圆柱段与法兰底座连接。
所述的外螺纹段为M20外螺纹。
所述的法兰底座与隔膜式仪表连接端设有用于密封的法兰凸出台。
所述的法兰凸出台的中间位置设有压力缓冲区。
所述的压力缓冲区的直径为15mm,深度为30mm,所述的传压孔的直径为4mm。
所述的法兰底座上设有与隔膜式仪表连接的螺栓孔。
所述的螺栓孔设有四个,均匀分布在法兰底座上。
与现有技术相比,本发明。
1)适用范围广,校验精度高,采用的法兰凸出台大大提高了密封性,从而进一步提高了校验精度;
2)节省维修资金,缩短维修时间,将本发明直接连接到待校验的隔膜式仪表即可完成校验,大大节约了校验时间;
3)加工制作成本低,可反复使用。
附图说明
图1为本发明的结构示意图;
图2为本发明的仰视结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。本实施例以本发明技术方案为前提进行实施,给出了详细的实施方式和具体的操作过程,但本发明的保护范围不限于下述的实施例。
实施例
如图1和图2所示,一种核电站用隔膜式仪表校验装置,此装置采用不锈钢材料制作,为一体式法兰/螺纹转换装置,该装置用于连接隔膜式仪表和加压仪器,所述的校验装置为凸形结构,其中心设有传压孔3,所述的校验装置包括一体成型的连接接头1和法兰底座2,所述的连接接头1与加压仪器,所述的法兰底座2与隔膜式仪表连接,所述的隔膜式仪表通过传压孔3与加压仪器连通。
所述的连接接头1包括依次设置的外螺纹段11、外六方段12和圆柱段13,所述的外螺纹段11与加压仪器的接头连接,所述的圆柱段13与法兰底座连接。所述的外螺纹段为M20×1.5mm、长15mm的外螺纹,用来与加压校验装置进行连接,接头中部加工有外六方,方便使用扳手紧固。
所述的法兰底座2与隔膜式仪表连接端设有用于密封的法兰凸出台21。所述的法兰凸出台的中间位置设有压力缓冲区22,对加压校验装置的输出压力传导起到缓冲作用,避免压力损失,并保持稳定、不发生波动。所述的压力缓冲区的直径为15mm,深度为30mm,所述的法兰底座上设有与隔膜式仪表连接的螺栓孔。所述的螺栓孔设有四个,均匀分布在法兰底座上。
整个装置钻有一个直径为4mm的传压孔,功能是将加压校验装置的输出压力传递到被校仪表隔膜上。
使用方法如如:
1.将隔膜式仪表通过四条螺栓与本装置的法兰底座连接,并加装有法兰密封垫片;
2.将连接接头与加压校验装置的接头相连接;
3.用加压仪器(例如DPI610)加压,被校验仪表压力指示升至满量程的1/3处,保持压力稳定1分钟,检查无泄漏后,就可对隔膜式仪表进行校验。
在山东核电应用此装置成功的对核岛WLS系统、SRTF多个系统的隔膜式仪表完成了校验工作。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到各种等效的修改或替换,这些修改或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
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