[发明专利]熔断电阻器及该熔断电阻器制造方法有效

专利信息
申请号: 201610848282.X 申请日: 2016-09-23
公开(公告)号: CN107871573B 公开(公告)日: 2020-02-07
发明(设计)人: 姜斗园;金炫昌;文皇帝;申雅岚 申请(专利权)人: 斯玛特电子公司
主分类号: H01C3/20 分类号: H01C3/20;H01C1/14
代理公司: 11327 北京鸿元知识产权代理有限公司 代理人: 许向彤;陈英俊
地址: 韩国蔚*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 熔断 电阻器 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种熔断电阻器,包括:

电阻器;

熔断引线,包括与所述电阻器的一侧耦接的第一导线部、与基板连接的第二导线部和温度保险丝,所述温度保险丝的一端耦接至所述第一导线部,所述温度保险丝的另一端耦接至所述第二导线部;

引线,与所述电阻器的另一侧连接;

下模制单元,在所述熔断引线的一部分和所述引线的一部分彼此间隔开一定距离的状态下注射成型,所述下模制单元被注射成型为容纳所述温度保险丝;以及

上壳,具有圆柱体形状,所述上壳在其一侧处设置有开口,所述上壳容纳所述电阻器、所述熔断引线的一部分和所述引线的一部分,并且所述开口耦接至所述下模制单元,

所述下模制单元形成为具有容纳所述第一导线部的一部分、所述第二导线部的一部分和所述温度保险丝的厚度,

所述上壳用填料填充,所述填料由粘固剂形成,并且所述上壳和所述下模制单元耦接。

2.根据权利要求1所述的熔断电阻器,其中:

所述下模制单元由树脂形成,所述树脂的导热率比所述填料的导热率低。

3.根据权利要求1所述的熔断电阻器,其中从所述电阻器的水平中心线到所述下模制单元的上表面的距离小于从所述电阻器的水平中心线到所述温度保险丝的上表面的距离。

4.根据权利要求1所述的熔断电阻器,其中所述下模制单元在其边缘部设置有坐靠部,并且所述坐靠部具有与所述上壳的厚度对应的宽度。

5.根据权利要求1所述的熔断电阻器,其中:

所述电阻器包括线绕电阻器,所述线绕电阻器包括陶瓷棒、布置在所述陶瓷棒的两端处的一对接线端以及卷绕在所述陶瓷棒上的导线,并且

硅被涂覆在所述陶瓷棒和所述导线的表面处以形成涂层。

6.一种制造熔断电阻器的方法,包括:

制备熔断引线和引线,所述熔断引线包括第一导线部、与基板连接的第二导线部和温度保险丝,所述温度保险丝的一端耦接至所述第一导线部,所述温度保险丝的另一端耦接至所述第二导线部;

使电阻器的两端分别耦接至所述熔断引线的所述第一导线部和所述引线;

形成通过嵌件注射成型的下模制单元,其中所述熔断引线的一部分和所述引线的一部分被嵌入到所述下模制单元中并且彼此间隔开一定距离,所述下模制单元形成为具有容纳所述第一导线部的一部分、所述第二导线部的一部分和所述温度保险丝的厚度,并且所述下模制单元被注射成型为容纳所述熔断引线的温度保险丝;

通过开口用由粘固剂形成的填料填充上壳的内空间,其中所述上壳是圆柱体形状并且在所述上壳的一侧处设置有所述开口;并且

使所述上壳耦接至所述下模制单元,使得所述电阻器嵌入到所述上壳中。

7.根据权利要求6所述的制造熔断电阻器的方法,其中:

所述第一导线部、所述第二导线部和所述温度保险丝均具有相同的直径。

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