[发明专利]一种太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳电池，其特征在于：包括下电极、由下至上依次设置于下电极层上表面的下接触层、背场层，有源区层，窗口层，上接触层，和上电极，其中，所述有源区层包括多层类量子阱/类量子点叠层结构层，所述类量子点层设置在类量子阱层上；其中，所述类量子阱为GaAsSb/GaAs量子阱；所述类量子点为InAs/GaAs量子点。

2.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于：所述类量子阱/类量子点叠层结构层包括类量子阱下垒层、类量子阱阱层、类量子点下垒层和类量子点点层，其中，类量子阱阱层设置在类量子阱下垒层的上表面，类量子点下垒层设置在类量子阱阱层的上表面，类量子点点层设置在类量子下垒层的上表面。

3.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于：所述类量子阱/类量子点叠层结构层的层数在30~200之间。

4.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于：所述有源区为PN结结构，有源区包括第一体材料有源区层、第二体材料有源区层和多层类量子阱/类量子点叠层结构层,所述多层类量子阱/类量子点叠层结构层设置在第一体材料有源区层和第二体材料有源区层之间。

5.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于：所述有源区为PN结结构，有源区包括两层第一体材料有源区层、第二体材料有源区层和多层类量子阱/类量子点叠层结构层,从下至上依次为第一体材料有源区层、多层类量子阱/类量子点叠层结构层、第一体材料有源区层和第二体材料有源区层。

6.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于：所述有源区为PN结结构，有源区包括第一体材料有源区层、两层第二体材料有源区层和多层类量子阱/类量子点叠层结构层,从下至上依次为第一体材料有源区层、第二体材料有源区层、多层类量子阱/类量子点叠层结构层和第二体材料有源区层。

7.一种制备权利要求1所述的太阳电池的方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1：提供下接触层；

步骤2：在下接触层表面采用分子束外延或金属有机物化学汽相沉积的方法生长背场层；

步骤3：在背场层上表面生长有源区层，包括第一体材料有源区层、第二体材料有源区层和多层类量子阱/类量子点叠层结构层；

步骤4：在有源区层上依次生长窗口层和上接触层；

步骤5：在上接触层和下接触层上分别制备上电极和下电极；

其中，所述类量子阱为GaAsSb/GaAs量子阱；所述类量子点为InAs/GaAs量子点。

8.根据权利要7所述的太阳电池的制备方法，其特征在于：所述多层类量子阱/类量子点叠层结构层的生长方法为：先生长类量子阱下垒层，类量子阱阱层生长在类量子阱下垒层上表面，类量子下垒层生长在类量子阱阱层上表面，类量子点点层生长在类量子下垒层上表面，按照周期性依次生长成多层类量子阱/类量子点叠层结构层。