[发明专利]ZnO/SiO2微波介质陶瓷的制备方法在审

专利信息
申请号: 201610842034.4 申请日: 2016-09-22
公开(公告)号: CN107867840A 公开(公告)日: 2018-04-03
发明(设计)人: 施海月 申请(专利权)人: 施海月
主分类号: C04B35/453 分类号: C04B35/453;C04B35/626;C04B35/634
代理公司: 常州市维益专利事务所(普通合伙)32211 代理人: 陆华君
地址: 215624 江苏省苏州市张家港市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: zno sio2 微波 介质 陶瓷 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种ZnO/SiO2微波介质陶瓷的制备方法,其特征在于,采用固相法合成ZnO/SiO2微波介质陶瓷,其中ZnO和SiO2按照摩尔比5:3计量;烧结按照3~5℃/min速率升至1300~1400℃保温2小时。

2.根据权利要求1所述的ZnO/SiO2微波介质陶瓷的制备方法,其特征在于:固相法合成包括预烧步骤,预烧温度1100℃,预烧时间4小时。

3.根据权利要求1所述的ZnO/SiO2微波介质陶瓷的制备方法,其特征在于:固相法合成包括造粒步骤:在陶瓷粉料中加入8wt%的聚乙烯醇,充分研磨后再过筛。

4.根据权利要求1所述的ZnO/SiO2微波介质陶瓷的制备方法,其特征在于:固相法合成包括干压成型,压力控制在180MPa。

5.根据权利要求1所述的ZnO/SiO2微波介质陶瓷的制备方法,其特征在于:烧结完成后冷却至室温,包括首先以1℃/min的速率降到1000℃,再以100℃/小时的速率降到800℃,然后自然冷却至常温。

6.根据权利要求1所述的ZnO/SiO2微波介质陶瓷的制备方法,其特征在于:烧结温度为1350℃。

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