[发明专利]MgO和TiO2掺杂ZnO/SiO2微波介质陶瓷的制备方法在审

专利信息
申请号: 201610841989.8 申请日: 2016-09-22
公开(公告)号: CN107867838A 公开(公告)日: 2018-04-03
发明(设计)人: 施海月 申请(专利权)人: 施海月
主分类号: C04B35/453 分类号: C04B35/453;C04B35/622;C04B35/64
代理公司: 常州市维益专利事务所(普通合伙)32211 代理人: 陆华君
地址: 215624 江苏省苏州市张家港市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: mgo tio2 掺杂 zno sio2 微波 介质 陶瓷 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种MgO和TiO2掺杂ZnO/SiO2微波介质陶瓷的制备方法,其特征在于,包括:制备ZnO/SiO2基料,加入8~10wt%的TiO2,2~3wt%的MgO2,然后采用固相法烧结,烧结温度1250~1335℃。

2.根据权利要求1所述的MgO和TiO2掺杂ZnO/SiO2微波介质陶瓷的制备方法,其特征在于:ZnO/SiO2基料采用固相法合成。

3.根据权利要求2所述的MgO和TiO2掺杂ZnO/SiO2微波介质陶瓷的制备方法,其特征在于:固相法合成ZnO/SiO2基料方法包括:

(1)、ZnO和SiO2按照摩尔比2:1计量;

(2)、球磨:将按配方称好的粉料放入尼龙球磨罐中,以无水乙醇作为球磨介质,氧化锆为磨球,利用变频式行星球磨机球磨,球磨转速365rpm,按照原料:磨球:无水乙醇=1:3:2比例球磨10~15小时;

(3)、烘干、过筛:将球磨后浆料在干燥箱中进行干燥,干燥温度80℃,干燥时间20min,干燥完成后采用100目的筛子过筛;

(4)、预烧:在氧化铝坩埚中于1100℃预烧4小时。

4.根据权利要求1所述的MgO和TiO2掺杂ZnO/SiO2微波介质陶瓷的制备方法,其特征在于:TiO2含量为10wt%;MgO2含量为3wt%。

5.根据权利要求1所述的MgO和TiO2掺杂ZnO/SiO2微波介质陶瓷的制备方法,其特征在于:烧结温度为1300℃。

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