[发明专利]半导体存储器装置的操作方法

说明书

本发明涉及一种半导体存储器装置的操作方法，其包括：通过输入/输出线接收包括命令、地址和数据的输入/输出信号；并且接收第一控制信号和第二控制信号，其中，不论第二控制信号的状态，当启动的第一控制信号被接收时，通过输入/输出线接收的输入/输出信号被识别为命令。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年4月14日提交的申请号为10-2016-0045604的韩国申请的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

各个实施例总体涉及一种基于控制信号接收输入/输出信号的半导体存储器装置的操作方法。

背景技术

半导体存储器装置通常被分为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。当电源被切断时，易失性存储器装置丢失存储的数据，而即使电源被切断时，非易失性存储器装置可以保留存储的数据。

根据存储器单元的结构，易失性存储器装置可包括使用电容器的动态RAM(DRAM)、使用触发器的静态RAM(SRAM)等。

根据存储器单元的结构，非易失性存储器装置可包括闪速存储器装置、使用铁电电容器的铁电RAM(FRAM)、使用隧穿磁阻(TMR)层的磁性RAM(MRAM)、使用硫族化合物合金的相变存储器装置、使用过渡金属氧化物的电阻式RAM(RERAM)等。

半导体存储器装置可根据从控制器提供的控制信号操作。用于控制半导体存储器装置的控制信号可根据半导体存储器装置的制造不同地预先确定。用于控制半导体存储器的控制信号越多，则半导体存储器装置中的用于接收控制信号的外部连接端子就越多。相反地，控制信号的数量越少，外部连接端子的数量就越少。利用较少数量的控制信号，优点在于布局被简化，而缺点在于控制操作被复杂化。

发明内容

各个实施例涉及一种用于接收控制信号的带有数量减少的外部连接端子的半导体存储器装置。

在实施例中，半导体存储器装置的操作方法可包括：通过输入/输出线接收包括命令、地址和数据的输入/输出信号；以及接收第一控制信号和第二控制信号，其中，当启用的第一控制信号被接收时，不论第二控制信号的状态，通过输入/输出线接收的输入/输出信号被认为命令。

在实施例中，半导体存储器装置的操作方法可包括：接收第一控制信号和第二控制信号；以及接收输入/输出信号，其中根据第一控制信号和第二控制信号的组合，输入/输出信号被识别为是命令、地址和数据中的任何一个。

根据实施例，用于接收控制信号的半导体存储器的外部连接端子的数量可被减少。

根据实施例，其上安装半导体存储器装置的印刷电路板的布局可被简化。

根据实施例，控制半导体存储器装置的控制器的外部连接端子的数量可被减少。

附图说明

图1是说明半导体存储器装置和控制器之间的连接关系的简图。

图2是帮助描述根据实施例的输入/输出多路复用方案的时序图。

图3是帮助描述在图2所示的输入/输出多路复用方案中使用的控制信号的表。

图4是帮助描述根据另一实施例的输入/输出多路复用方案的时序图。

图5是帮助描述在图4所示的输入/输出多路复用方案中使用的控制信号的表。

图6是说明根据实施例的数据处理系统的框图。

图7是说明根据实施例的固态驱动器(SSD)的框图。

图8是说明图7所示的SSD控制器的框图。

图9是说明根据实施例的数据存储装置安装到其的计算机系统的框图。