[发明专利]一种AlN薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201610841499.8 | 申请日： | 2016-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN106282915B | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 王文庆 | 申请（专利权）人： | 昆山运城塑业有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02;C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海洞鉴知识产权代理事务所(普通合伙) 31346 | 代理人： | 刘少伟 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 预处理 择优取向 衬底 薄膜 离子束辅助沉积技术 离子束溅射沉积 磁控溅射沉积 宽禁带半导体 离子束轰击 混合气体 靶材 生长 | ||
【权利要求书】：
1.一种AlN薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)衬底预处理；
(2)靶材预处理；
(3)采用离子束辅助沉积技术，Ar+离子束溅射沉积Al膜，N+离子束轰击Al膜，在衬底上形成AlN缓冲层；
(4)N2、Ar以及NH3混合气体下，采用磁控溅射沉积技术，在AlN缓冲层上形成AlN薄膜；其中，磁控溅射沉积AlN薄膜时NH3含量占2％～5％，磁控溅射沉积AlN薄膜分次进行，NH3含量依次逐渐增多；磁控溅射时Ar与N2体积之比为1:1。
2.根据权利要求1所述AlN薄膜的制备方法，其特征在于：衬底预处理包括湿法清洗与干法刻蚀清洗。
3.根据权利要求2所述AlN薄膜的制备方法，其特征在于：干法刻蚀清洗为在磁控溅射系统内设置离子源，通过离子源轰击清洗衬底。
4.根据权利要求3所述AlN薄膜的制备方法，其特征在于：采用N+离子束和Ar+离子束共同对衬底干法刻蚀清洗。
5.根据权利要求1所述AlN薄膜的制备方法，其特征在于：靶材预处理包括通Ar靶材预溅射和通N2靶材预溅射。
6.根据权利要求1所述AlN薄膜的制备方法，其特征在于：磁控溅射系统内设置离子束辅助沉积装置，在磁控溅射系统内进行离子束辅助沉积。
7.根据权利要求1所述AlN薄膜的制备方法，其特征在于：磁控溅射溅射电源采用脉冲电源。
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