[发明专利]具有升压能力的微型反熔丝电路的内存系统

说明书

本发明公开了一种内存系统，包括控制模块、反熔丝电压产生器、数组电压产生器以及内存数组。控制模块用以根据内存控制数据信号，输出多个控制信号。反熔丝电压产生器用以根据控制信号以及驱动电压，输出反熔丝控制信号至内存数组。数组电压产生器用以根据控制信号，输出选择信号及接续控制信号至内存数组。内存数组耦接于控制模块、反熔丝电压产生器、数组电压产生器，用以根据控制信号、反熔丝控制信号、选择信号及接续控制信号存取数据。

技术领域

本发明涉及一种内存系统，特别是涉及一种具有升压能力的微型反熔丝电路的内存系统。

背景技术

非挥发性内存(Non-Volatile Memory，NVM)是一种在没有电力供应至内存区块的情况下，仍然能够维持原本储存的数据的内存。非挥发性内存可应用于许多设备，例如磁性装置、光盘片、闪存或是其它半导体的记忆装置。非挥发性内存可分为电子式寻址系统(Electrically Addressed Systems)的内存，例如只读存储器(Read-Only Memory)，以及机械式寻址系统(Mechanically Addressed Systems)的内存，例如硬盘、光盘、磁带等装置。并且，非挥发性内存不需要将本身储存的数据做周期性地更新。因此，非挥发性内存常被用来当成备份数据的装置或是能长时间储存数据的装置。

随着科技日新月异，巨量数据的存取将需要更大容量以及更高密度的非挥发性内存。因此，用来驱动非挥发性内存执行写入或是读取操作的电路，其电路尺寸也会增加。例如，当非挥发性内存是一种具有反熔丝(Antifuse)结构的内存时，非挥发性内存在写入操作时会使用击穿(Ruptured)程序。因此，驱动具有反熔丝结构的内存执行击穿程序所用的反熔丝电路，其电路面积也会随着内存的密度变大而增加。因此，因为驱动内存所用的电路尺寸的限制，这些驱动电路(反熔丝电路)在内存芯片或是电路板上的位置将无法被优化，因此将导致内存的驱动效率以及设计弹性降低。

发明内容

本发明实施例提出一种内存系统，包括控制模块、反熔丝电压产生器、数组电压产生器及内存数组。控制模块包括输入端、第一输出端、第二输出端、第三输出端及第四输出端。输入端用以接收内存控制数据信号，第一输出端用以输出第一控制信号，第二输出端用以输出第二控制信号，第三输出端用以输出第三控制信号，第四输出端用以输出第四控制信号。反熔丝电压产生器包括第一输入端、第二输入端及输出端。第一输入端耦接于控制模块的第二输出端，用以接收第二控制信号。第二输入端用以接收驱动电压，输出端用以输出反熔丝控制信号。数组电压产生器包括第一输入端、第二输入端、第一输出端及第二输出端。第一输入端耦接于控制模块的第三输出端，用以接收第三控制信号。第二输入端用以接收驱动电压，第一输出端用以输出选择信号，第二输出端用以输出接续控制信号。内存数组耦接于控制模块、反熔丝电压产生器及数组电压产生器，用以根据第一控制信号、反熔丝控制信号、选择信号及接续控制信号存取数据。第一控制信号包括内存数组的地址信息。

附图说明

图1是本发明的内存系统的实施例的方块图。

图2是图1的内存系统内的内存单元的架构图。

图3是图1的内存系统内的内存数组，配置多个内存单元的示意图。

图4是图1的内存系统内的反熔丝电压产生器的架构图。

图5是图4的反熔丝电压产生器，在读取操作期间内的示意图。

图6是图4的反熔丝电压产生器，在写入操作期间内的示意图。

图7是图6的反熔丝电压产生器，在闸极信号为下拉状态时，各晶体管端点的电压示意图。

图8是图6的反熔丝电压产生器，在闸极信号为上拉状态时，各晶体管端点的电压示意图。

图9是图1的内存系统内的另一实施例的反熔丝电压产生器，在写入操作期间内的示意图。