[发明专利]电阻炉合成单晶碳化硅制备方法

权利要求书

1.本发明电阻炉合成单晶碳化硅制备方法，而单晶碳化硅是属半导体的技术领域中一种半导体芯片高性能材料。广泛用于高科技及国防工业上。

突破性创造半导体芯片高性能单晶碳化硅材料合成新方法。现发明电阻炉合成单晶碳化硅制备方法是“熔解法”。其技术条件必须具备湿度2600度之间，结晶合成，有形成单晶碳化硅晶体空间，在此空间中，sic是过饱和浓度状态，形成空气温度对流，饱和溶态状，必须温度恒定，不受外界气流冲击处密封状态。

按配方比例配料sic晶种与粘结剂树脂干粉搅拌均匀，木模成型，然后在电炉干燥箱固化放入石墨坩锅内，辅以录碳化硅及硅砂为填充料，在电阻炉合成单晶碳化硅。