[发明专利]电致变色器件以及制造所述器件的方法和装置

权利要求书

1.一种制造电致变色器件的方法，所述方法包括：

(a)通过溅射具有氧浓度的第一溅射气体形成包括电致变色材料的电致变色层或包括反电极材料的反电极层；

(b)通过溅射第二溅射气体在所述电致变色层或所述反电极层上方形成中间层，其中所述第二溅射气体相比于所述第一溅射气体具有更高浓度的氧，从而形成包括双层或梯度层的堆叠，所述双层或梯度层包括(i)在(a)中形成的所述电致变色层或所述反电极层，和(ii)所述中间层，其中所述中间层包括所述电致变色材料或所述反电极材料的富氧形态，其中所述中间层与在(a)中形成的所述电致变色层或所述反电极层直接接触；

(c)将所述中间层暴露于锂金属；

(d)在所述中间层上沉积所述电致变色层和所述反电极层中的另一个；以及

(e)将所述中间层的至少一部分转换为离子导电区域，所述离子导电区域与所述中间层同延且包括电子绝缘离子导电材料和所述中间层的材料。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述离子导电区域是所述电子绝缘离子导电材料与所述中间层的所述材料的非均质混合物。

3.如权利要求1所述的方法，其中(a)包括通过沉积氧化钨形成所述电致变色层，并且其中沉积氧化钨包括使用钨靶材溅射以达到350nm与450nm之间的厚度；以及在所述电致变色层形成期间至少间歇地加热到150℃与450℃之间，并且其中所述第一溅射气体包括40％与80％之间的氧和20％与60％之间的氩。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述电致变色层是大致上多晶的。

5.如权利要求1所述的方法，其中(a)包括通过沉积氧化钨形成所述电致变色层，并且其中(b)包括使用钨靶材溅射氧化钨以达到10nm与200nm之间的厚度，而无需加热，以及其中所述第二溅射气体包括70％与100％之间的氧和0％与30％之间的氩。

6.如权利要求5所述的方法，其中(c)包括将锂金属递送到所述中间层。

7.如权利要求6所述的方法，其中(d)包括经由将钨酸镍溅射到所述中间层上形成所述反电极层，其中所述钨酸镍是大致上非结晶的。

8.如权利要求6所述的方法，其中(d)包括经由将钨酸镍溅射到所述中间层上形成所述反电极层，其中所述钨酸镍的厚度在150nm与300nm之间。

9.如权利要求8所述的方法，其进一步包括将锂金属递送到所述反电极层直到大致上漂白所述反电极层为止。

10.如权利要求9所述的方法，其进一步包括在所述反电极层上方沉积透明导电氧化物层，并在沉积所述透明导电氧化物层之前或之后，以150℃与450℃之间的温度，对在(a)和(b)中形成的所述堆叠和在(d)中形成的所述电致变色层或所述反电极层在氩环境中加热达10分钟与30分钟之间，然后在氧环境中加热达1分钟与15分钟之间。

11.如权利要求10所述的方法，其进一步包括在空气中以250℃与350℃之间的温度对在(a)和(b)中形成的所述堆叠和在(d)中形成的所述电致变色层或所述反电极层加热达20分钟与40分钟之间。

12.如权利要求1所述的方法，其中(d)发生在(c)之前。

13.如权利要求8所述的方法，其中所述钨酸镍掺杂了钽。

14.如权利要求3所述的方法，其中所述氧化钨掺杂了钼和/或钛。