[发明专利]一种化学镀制备ULSI-Cu布线扩散阻挡层NiCoB薄膜的方法有效
| 申请号： | 201610827712.X | 申请日： | 2016-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN107104076B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 陈秀华;王月春;马文会 | 申请（专利权）人： | 云南大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650091 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 化学 制备 ulsi cu 布线 扩散 阻挡 nicob 薄膜 方法 | ||
1.一种化学镀制备NiCoB薄膜的方法，其特征在于：化学镀制备NiCoB薄膜作为铜互连的扩散阻挡层，以DMAB为还原剂，二水合柠檬酸三钠和四水合酒石酸钾钠为络合剂，六水硫酸镍和七水硫酸钴为主盐，三水合乙酸钠为pH缓冲剂，氟化铵为加速剂，化学镀制NiCoB/Cu/NiCoB/SiO2/Si样品并进行退火实验。
2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：在化学镀制备NiCoB薄膜之前首先对单晶硅基体进行预处理，其方法依次包括如下步骤：
清洗：将裁切好的单晶硅片放在无水乙醇中超声清洗20min；
粗化：将清洗后的单晶硅片在粗化液中超声20min，所述粗化液为4% H2SO4和5% H2O2的混合溶液；
敏化：将粗化后的单晶硅片在敏化液中静置5min，所述敏化液为20g/l SnCl2和40ml/lHCl的混合溶液；
活化：将敏化后的单晶硅片放在活化液中超声20min；
解胶：最后将单晶硅片在10% HCl溶液中45℃水浴加热条件下解胶40s。
3.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：化学镀制备NiCoB薄膜的溶液配方为：
络合剂：Na3C6H5O7·2H2O：41.174g/L，C4O6H4KNa·4H2O：14.1115g/L；
主盐：NiSO4·6H2O：28.914g/L，CoSO4·7H2O：8.433g/L；
还原剂：DMAB：2.3568g/L；
加速剂：NH4F：1g/L；
pH缓冲剂：CH3COONa·3H2O：15g/L。
4.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：化学镀制备NiCoB薄膜的实验条件为：
温度：80℃，pH：11.5。
5.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：化学镀制备Cu薄膜的溶液配方为：
主盐：CuSO4·2H2O：20g/L；
络合剂：EDTA-2Na：39g/L；
还原剂：CHOCOOH·H2O：13.8g/L；
加速剂：C6H8O7·H2O：21g/L；
稳定剂：2,2’－联吡啶：10mg/L。
6.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：化学镀制备Cu薄膜的实验条件为：
温度：77.5℃，pH：12.5，搅拌：30r/min。
7.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：化学镀制备NiCoB/Cu/NiCoB/SiO2/Si样品的退火条件为氩气。
8.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：化学镀制备NiCoB/Cu/NiCoB/SiO2/Si样品的退火温度分别为：500℃，600℃，700℃，750℃，800℃，850℃。
9.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：镀液中加入氟化铵后，沉积时间为5min即可得到40nm厚的均匀镀层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
