[发明专利]基板处理装置及处理腔室清洗方法

说明书

本发明提供一种基板处理装置及处理腔室清洗方法，在对包括构成基板处理装置的处理腔室的壁体以及设于所述处理腔室内的设备的清洗对象部的表面进行清洗时，缩短清洗后的干燥时间。在进行向处理腔室(20)内喷射水而用水将清洗对象部(42、20a、53等)的表面润湿、使附着于清洗对象部的表面的除去对象物溶解于水的清洗工序之后，进行向处理腔室内喷射挥发性高于水的挥发性的溶剂而向附着于清洗对象部的表面的水供给溶剂的溶剂供给工序，之后，进行使清洗对象部的表面干燥的干燥工序。

技术领域

本发明涉及在向基板供给处理液而对基板实施液处理的基板处理装置中对处理腔室的内部进行清洗的技术。

背景技术

在半导体装置的制造工序中，对半导体晶圆等基板实施湿蚀刻处理或化学溶液清洗处理等液处理。这样的液处理是通过向旋转的基板的表面供给处理液而进行的。被供给于基板的处理液的大部分由称为杯的筒状的液接受构件回收。但是，飞溅了的处理液越过液接受构件而飞散，附着于处理腔室的内壁面或处理腔室内的设备。若将该附着了的处理液放置，则干燥而结晶化，可能成为颗粒产生的原因。因此，处理腔室的内壁以及处理腔室内的设备通过清洗液例如纯水的喷淋而定期地进行清洗(例如参照专利文献1)。

若纯水附着于处理腔室的内壁，则由于纯水蒸发(气化)而处理腔室内的湿度增大。在湿度不足够低的气氛中无法顺利地进行液处理后的基板干燥，因此，只有在纯水充分地干燥之后才能再次开始处理。由于花费时间来进行纯水的干燥，所以存在基板处理装置的停机时间变长这样的问题。

专利文献1：日本特开平11－297652号公报

发明内容

本发明的目的在于提供一种能够缩短处理腔室的清洗后的干燥时间的技术。

根据本发明的一实施方式，可提供一种基板处理装置，该基板处理装置包括：处理腔室；基板保持部，其设于所述处理腔室内，用于保持基板；处理液喷嘴，其向由所述基板保持部保持的基板供给处理液；清洗流体喷射部，其向所述处理腔室的内部空间喷射用于清洗包含所述处理腔室的壁以及设于所述处理腔室内的设备的洗浄对象部的表面的水，以及能够置换附着于所述清洗对象部的表面的所述水的、挥发性高于所述水的挥发性的溶剂。

根据本发明的另一实施方式，可提供一种处理腔室清洗方法，其用于对基板处理装置的处理腔室内的清洗对象部进行清洗，包括：清洗工序，在该清洗工序中，向所述处理腔室内喷射水而利用水润湿所述清洗对象部，对附着于所述清洗对象部的表面的除去对象物进行清洗；溶剂供给工序，在该溶剂供给工序中，向所述処理腔室内喷射挥发性比水的挥发性高的溶剂，朝向附着于所述清洗对象部的表面的水供给所述溶剂；干燥工序，在该干燥工序中，使所述清洗对象部的表面干燥。

根据上述本发明的实施方式，在利用水对腔室内的清洗对象部的表面进行了清洗之后，通过朝向附着于清洗对象部的表面的水供给溶剂，从而由溶剂覆盖清洗对象部的表面，因此，能够使清洗对象部的表面迅速地干燥。

附图说明

图1是表示一实施方式的基板处理系统的概略结构的俯视图。

图2是表示第1实施方式的处理腔室的概略结构的纵剖视图。

图3是表示第1实施方式的处理腔室的概略结构的横剖视图。

图4是表示清洗用工具的立体图。

图5是表示工具收纳部的配置的与图1同样的概略俯视图。

图6是表示清洗水供给部以及溶剂供给部的变形例的配管图。

图7是表示低湿度气体供给部的变形例的配管图。

图8是表示设于处理腔室的壁体的加热器的概略立体图。

图9是表示第2实施方式的处理腔室的概略结构的纵剖视图。