[发明专利]包括鳍型场效应晶体管结构的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一鳍型图案，在基板上并且具有第一侧壁以及第二侧壁；以及

场绝缘膜，在所述基板上并且围绕所述第一鳍型图案的所述第一侧壁的一部分以及所述第一鳍型图案的所述第二侧壁的一部分，

其中所述第一鳍型图案包括由所述场绝缘膜围绕的下部分、向上突出超过所述场绝缘膜的上表面的上部分、以及限定在所述第一鳍型图案的所述上部分与所述第一鳍型图案的所述下部分之间的边界线，在所述边界线处，所述场绝缘膜的所述上表面接触所述第一鳍型图案的所述第一侧壁和所述第二侧壁，

所述第一鳍型图案的所述上部分和所述第一鳍型图案的所述下部分材料上具有相同组成，

所述第一鳍型图案的所述第一侧壁包括从所述场绝缘膜的上表面以连续顺序定位的第一点、第二点和第三点，其中所述第一点比所述第二点和所述第三点更靠近所述基板，

在所述第二点处跨所述第一鳍型图案的宽度大于在所述第一点处跨所述第一鳍型图案的宽度以及在所述第三点处跨所述第一鳍型图案的宽度，以及

在所述第二点处跨所述第一鳍型图案的宽度小于所述边界线的长度，

其中所述第一鳍型图案的鳍中心线被定义为垂直于所述边界线并且与所述第一鳍型图案的所述上部分的最高部分相交，

在所述第二点处从所述鳍中心线到所述第一侧壁的跨所述第一鳍型图案的宽度大于在所述第一点处从所述鳍中心线到所述第一侧壁的跨所述第一鳍型图案的宽度，并且大于在所述第三点处从所述鳍中心线到所述第一侧壁的跨所述第一鳍型图案的宽度，

其中在所述第二点处从所述鳍中心线到所述第二侧壁的跨所述第一鳍型图案的宽度小于在所述第一点处从所述鳍中心线到所述第二侧壁的跨所述第一鳍型图案的宽度，以及

在所述第二点处从所述鳍中心线到所述第二侧壁的跨所述第一鳍型图案的所述宽度大于在所述第三点处从所述鳍中心线到所述第二侧壁的跨所述第一鳍型图案的宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一鳍型图案的所述上部分包括所述第一点至第三点。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一鳍型图案包括第一部分和第二部分，在所述第一部分处，跨所述第一鳍型图案的宽度随着与所述基板的所述上表面的距离增大而增大，在所述第二部分处，跨所述第一鳍型图案的宽度随着与所述基板的所述上表面的所述距离增大而减小，以及

所述第二点位于所述第一鳍型图案的所述第一部分和所述第一鳍型图案的所述第二部分之间的边界处。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第二点比所述边界线更远离所述基板的所述上表面定位。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中从所述鳍中心线到所述第二侧壁的跨所述第一鳍型图案的宽度随着与所述基板的所述上表面的距离增大而减小。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述场绝缘膜上并且交叉所述第一鳍型图案的栅电极。