[发明专利]高电源抑制比运算放大电路

权利要求书

1.一种高电源抑制比运算放大电路，其特征在于：所述高电源抑制比运算放大电路包括电流偏置子电路、与所述电流偏置子电路相连的第一级放大子电路、与所述第一级放大子电路相连的第二级放大子电路、连接于所述第一级放大子电路与所述第二级放大子电路之间用于提高所述高电源抑制比运算放大电路的电源抑制比的高电源抑制比子电路及连接于所述第一级放大子电路与所述第二级放大子电路之间用于控制环路稳定性的补偿电容，所述电流偏置子电路为所述高电源抑制比运算放大电路提供偏置电流，所述第一级放大子电路接收输入的差分信号并进行放大后传送至所述第二级放大子电路，所述第二级放大子电路对接收到的信号进行放大后输出。

2.根据权利要求1所述的高电源抑制比运算放大电路，其特征在于：所述第一级放大子电路包括第一场效应管、与所述第一场效应管相连的第二场效应管、第三场效应管、与所述第三场效应管相连的第四场效应管，所述第一场效应管与所述第二场效应管为用于接收输入的差分信号的差分输入对管，所述第二级放大子电路包括第五场效应管，所述电流偏置子电路包括第六场效应管、与所述第六场效应管相连的第七场效应管、与所述第七场效应管相连的第八场效应管、与所述第八场效应管相连的第九场效应管、与所述第九场效应管相连的第十场效应管、与所述第七场效应管相连的第十一场效应管、与所述第八场效应管相连的第十二场效应管、与所述第九场效应管相连的第十三场效应管、与所述第十场效应管相连的第十四场效应管、与所述第十一场效应管相连的第十五场效应管、与所述第十五场效应管相连的第十六场效应管、与所述第十六场效应管相连的第十七场效应管、与所述第十七场效应管相连的第十八场效应管、与所述第十八场效应管相连的第十九场效应管及第二十场效应管，所述高电源抑制比子电路包括所述第十场效应管、所述第十四场效应管、所述第十九场效应管、连接于所述第十四场效应管与所述第十九场效应管之间的第二十一场效应管及第一电容，所述补偿电容包括第二电容。

3.根据权利要求2所述的高电源抑制比运算放大电路，其特征在于：所述第一场效应管的栅极与所述第二场效应管的栅极分别接收输入的差分信号，所述第一场效应管的源级与所述第二场效应管的源级共同连接所述第六场效应管的漏极，所述第一场效应管的漏极与所述第四场效应管的源级及所述第十八场效应管的漏极相连。

4.根据权利要求3所述的高电源抑制比运算放大电路，其特征在于：所述第二场效应管的漏极与所述第三场效应管的源级及所述第十七场效应管的漏极相连；所述第三场效应管的栅极、所述第四场效应管的栅极、所述第十五场效应管的栅极及所述第二十一场效应管的栅极共同连接，所述第三场效应管的漏极与所述第七场效应管的栅极、所述第十一场效应管的漏极、所述第十二场效应管的漏极及所述第十五场效应管的漏极相连。

5.根据权利要求4所述的高电源抑制比运算放大电路，其特征在于：所述第四场效应管的漏极与所述第十三场效应管的漏极、所述第十四场效应管的漏极、所述第一电容的一端、所述第五场效应管的栅极及所述第二十一场效应管的漏极相连；所述第五场效应管的漏极与所述第二十场效应管的漏极及所述第二电容的一端相连，并作为所述本发明高电源抑制比运算放大电路的输出端输出信号；所述第六场效应管的栅极、所述第八场效应管的栅极、所述第九场效应管的栅极及所述第十场效应管的栅极共同连接。

6.根据权利要求5所述的高电源抑制比运算放大电路，其特征在于：所述第七场效应管的漏极与所述第十一场效应管的源级相连；所述第八场效应管的漏极与所述第十二场效应管的源级相连；所述第九场效应管的漏极与所述第十三场效应管的源级相连；所述第十场效应管的漏极与所述第十四场效应管的源级相连；所述第十一场效应管的栅极、所述第十二场效应管的栅极、所述第十三场效应管的栅极及所述第十四场效应管的栅极共同连接；所述第十五场效应管的源级与所述第十六场效应管的漏极相连。

7.根据权利要求6所述的高电源抑制比运算放大电路，其特征在于：所述第十六场效应管的栅极、所述第十七场效应管的栅极、所述第十八场效应管的栅极、所述第十九场效应管的栅极及所述第二十场效应管的栅极共同连接；所述第十九场效应管的漏极与所述第二十一场效应管的源级及所述第二电容的另一端相连。