[发明专利]用于确定处理速率的方法和装置

说明书

本发明涉及用于确定处理速率的方法和装置。一种用于在处理室中干法处理衬底的方法被提供。所述衬底被置于所述处理室中。所述衬底被干法处理，其中所述干法处理产生至少一种气体副产品。所述至少一种气体副产品的浓度被测量。所述至少一种气体副产品的所述浓度被用于确定所述衬底的处理速率。

参考引用

本公开通过参考并入了由Albarede等人于相同日期提交的名称为“APPARATUSFOR DETERMINING PROCESS RATE”的专利，该美国专利流水号为，代理人案卷号为LAM1P521/3758-1US，该专利通过参考并入以用于全部目的。

技术领域

本公开涉及半导体器件的制造。更具体地，本公开涉及制造半导体器件时所使用的蚀刻。

背景技术

在半导体晶片的处理过程中，含硅层被选择性地蚀刻。

发明内容

为了实现上述内容并且根据本公开的目的，一种用于在处理室中干法处理衬底的方法被提供。所述衬底被置于所述处理室中。所述衬底被干法处理，其中所述干法处理产生至少一种气体副产品。所述至少一种气体副产品的浓度被测量。所述至少一种气体副产品的所述浓度被用于确定所述衬底的处理速率。

在另一表现方式中，一种用于在处理室中干法蚀刻衬底上面的至少8个交替层的方法被提供。所述衬底被置于所述处理室中。所述至少8个交替层被干法蚀刻，其中所述干法蚀刻产生至少一种气体副产品。所述至少一种气体副产品的浓度被测量。所述至少一种气体副产品的所述浓度被用于确定所述衬底的蚀刻速率、蚀刻选择度和蚀刻均匀度。室参数基于所测定的所述浓度被改变。

具体而言，本发明的一些方面可以阐述如下:

1.一种用于在处理室中干法处理衬底的方法，其包括：

将所述衬底置于所述处理室中；

干法处理所述衬底，其中所述干法处理产生至少一种气体副产品；

测量所述至少一种气体副产品的浓度；和

利用所述至少一种气体副产品的所述浓度来确定所述衬底的处理速率。

2.如条款1所述的方法，其进一步包括利用所述至少一种气体副产品的所述浓度来确定处理均匀度。

3.如条款2所述的方法，其进一步包括利用所述至少一种气体副产品的所述浓度来确定工艺终点。

4.如条款3所述的方法，其中所述工艺是等离子体蚀刻，且进一步包括利用所述至少一种气体副产品的所述浓度来确定深宽比依赖的ER。

5.如条款4所述的方法，其中所述工艺是等离子体蚀刻交替层，且进一步包括利用所述至少一种气体副产品的所述浓度来确定深宽比依赖的选择度。

6.如条款5所述的方法，其进一步包括：

创建与处理速率和处理均匀度相关的多个浓度模型；和

使随着时间推移而测量的副产品浓度符合所述多个浓度模型中的至少一个。

7.如条款1所述的方法，其进一步包括基于所测定的所述至少一种气体副产品的所述浓度来改变室设置。

8.如条款1所述的方法，其中所述干法处理所述衬底包括等离子体蚀刻所述衬底或所述衬底上面的堆层。

9.如条款1所述的方法，其中所述干法处理所述衬底包括蚀刻含硅层。

10.如条款1所述的方法，其中所述副产品包括SiF₄、SiCl₄、SiBr₄、COF₂、CO₂、CO和CF₄中的至少一种。