[发明专利]光电器件和包括该光电器件的电子装置

权利要求书

1.一种用于将光能转变成电能的光电器件，该光电器件包括：

光敏层，包括：

量子点层，配置为响应于入射到其上的光而产生电荷，和

半导体层，配置为传导由所述量子点层产生的所述电荷；

第一电极，电连接到所述半导体层的在平行于所述光敏层的方向上的第一端；和

第二电极，电连接到所述半导体层的在平行于所述光敏层的所述方向上的第二端，

其中所述半导体层包括下部半导体层和上部半导体层，所述量子点层设置在所述下部半导体层和所述上部半导体层之间，

所述光电器件还包括配置为将电场施加到所述光敏层的栅电极。

2.如权利要求1所述的光电器件，其中所述半导体层包括氧化物半导体。

3.如权利要求2所述的光电器件，其中所述氧化物半导体包括锌氧化物(ZnO)基氧化物、铟氧化物(InO)基氧化物、以及锡氧化物(SnO)基氧化物中的至少一个。

4.如权利要求2所述的光电器件，其中所述氧化物半导体包括硅铟锌氧化物(SIZO)、硅锌锡氧化物(SZTO)、锌氧化物(ZnO)、铟锌氧化物(IZO)、锌锡氧化物(ZTO)、镓铟锌氧化物(GIZO)、铪铟锌氧化物(HIZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、锡氧化物(SnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟镓氧化物(IGO)、铟氧化物(InO)以及铝铟氧化物(AIO)中的至少一个。

5.如权利要求1所述的光电器件，其中所述半导体层具有3.0eV至5.0eV的能带隙。

6.如权利要求1所述的光电器件，其中所述下部半导体层的厚度不同于所述上部半导体层的厚度。

7.如权利要求1所述的光电器件，其中所述量子点层包括多个量子点，其中所述多个量子点的每个包括II-VI族基半导体、III-V族基半导体、IV-VI族基半导体、IV族基半导体和石墨烯量子点中的至少一个。

8.如权利要求1所述的光电器件，其中所述第一电极在平行于所述光敏层的所述方向上与所述第二电极间隔开。

9.如权利要求1所述的光电器件，其中

所述光电器件是光电晶体管。

10.一种电子装置，包括如权利要求1所述的光电器件。

11.一种光电器件，包括：

多个光电转换元件，每个所述光电转换元件配置为将光能转变成电能，其中

所述多个光电转换元件包括第一光电转换元件和第二光电转换元件，

其中所述第一光电转换元件包括：

第一电极、第二电极以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的第一光敏层，其中所述第一光敏层包括配置为响应于入射到其上的光而产生电荷的第一量子点层、和配置为传导由所述第一量子点层产生的所述电荷的第一半导体层；

其中所述第二光电转换元件包括：

第三电极、第四电极以及设置在所述第三电极和所述第四电极之间的第二光敏层，其中所述第二光敏层包括配置为响应于入射到其上的光而产生电荷的第二量子点层、和配置为传导由所述第二量子点层产生的所述电荷的第二半导体层，

其中所述第一量子点层配置为吸收在第一波长带中的光，所述第二量子点层配置为吸收在第二波长带中的光，所述第二波长带不同于所述第一波长带，

其中所述第一电极电连接到所述第一半导体层的在平行于所述第一光敏层的方向上的第一端，所述第二电极电连接到所述第一半导体层的在平行于所述第一光敏层的所述方向上的第二端，其中所述第一半导体层包括下部半导体层和上部半导体层，所述第一量子点层设置在所述下部半导体层和所述上部半导体层之间，

所述光电器件还包括至少一个栅电极，其配置为将电场施加到所述多个光电转换元件。